[其他]高溫超導體的磁屏蔽裝置無效
| 申請號： | 87216407 | 申請日： | 1987-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN87216407U | 公開（公告）日： | 1988-08-03 |
| 發明（設計）人： | 柴璋;楊沛然;李碧欽;陳烈;胡中波;徐鳳技;袁宏平;葉維江;石萬全;劉世祥;柳雪君 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學研究生院;中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;G12B17/02 |
| 代理公司： | 中國科學院專利事務所 | 代理人： | 張愛蓮 |
| 地址： | 北京市玉泉*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高溫超導體磁屏蔽裝置屬于超導技術領域。該裝置采用超導材料和導磁材料制成的雙同心筒裝置，工作時，置于液氮之中。能提供成本低，使用方便的高精度的無磁空間，是高Tc氧化物超導磁強計系統的必備裝置。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 高溫 超導體 屏蔽 裝置 | ||
【主權項】：
1、一種超導磁屏蔽裝置，由筒組成，其特征是工作置于液氮之中的內外同心筒(1)(2)和筒頂(3)組成，筒頂(3)蓋在筒的頂部，內筒(1)由超導材料制備，外筒(2)和筒頂(3)由導磁材料制備。
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