[其他]延時關斷電路中可控硅的過電流保護無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 88102200 | 申請日： | 1988-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN88102200A | 公開（公告）日： | 1988-11-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高鴻飛 | 申請（專利權）人： | 高鴻飛 |
| 主分類號： | H03K17/08 | 分類號： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種由可控硅、阻容元件構成的延時關斷電路，在該電路的可控硅支路中串入繼電器勵磁線圈，使在可控硅的過電流允許持續(xù)時間內短路延時電容使延時提前快速結束，強迫可控硅關斷而獲得保護。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 延時 斷電 可控硅 電流 保護 | ||
【主權項】：
一種由可控硅和電阻電容構成的延時關斷電路，該電路中有一個可控硅(5)開關支路和控制可控硅(5)的延時電路，延時電路中有延時電容(4)，其特征是：1、所述可控硅(5)支路中串入繼電器勵磁線圈(6)。2、該繼電器的常開觸點（1）與電阻（2）串聯(lián)成為支路（3）3、該支路（3）并聯(lián)在延時電容（4）的兩端。
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