本發明公開一種具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板。進階反轉電解銅箔包括一微粗糙化處理面，微粗糙化處理面具有多個銅結晶、多個銅晶須以及多個銅結晶團，其呈非均勻性分布并構成一長島狀圖案。因此，本發明的進階反轉電解銅箔與一樹脂基復合材料之間具有良好的結合力，且能夠提高信號完整性以及減少信號的傳輸損耗，滿足5G應用的需求。

技術領域

本發明涉及一種電解銅箔，特別是涉及一種具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，以及應用其的銅箔基板。

背景技術

隨著信息和電子產業的發展，高頻高速信號傳輸已成為現代電路設計和制造的一環。為了符合電子產品對于高頻高速信號傳輸的需求，銅箔基板(copper clad laminates，CCL)需要防止高頻信號在傳遞時產生過度的插入損耗(insertion loss)，以具有良好的信號完整性(signal integrity，SI)。其中，銅箔基板中的銅箔的插入損耗表現與其表面處理面的粗糙度具有高度關聯，原因在于高頻高速信號傳輸時將產生集膚效應(Skin effect)：導體內部的電流分布不均勻的一種現象。隨著與導體表面的距離逐漸增加，導體內的電流密度呈指數遞減，即導體內的電流會集中在導體的表面，因此導體表面處理面的表面積愈小愈有利于高頻高速信號傳輸；然而，表面積愈大愈有利于剝離強度，這與信號完整性是相沖突的，進一步而言，在銅箔的表面形貌越平坦，其信號完整性越好，而銅箔的表面積愈大，其剝離強度越好。因此，本技術領域亟待研究出可以同時兼顧信號完整性以及剝離強度的銅箔基板。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其可以應用于高頻高速的5G領域，并且可以保持目標應用所需要的特性，例如保持電解銅箔的剝離強度(peel strength)。本發明還提供一種使用此進階反轉電解銅箔的銅箔基板，可作為高頻高速基板。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是提供一種具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其包括一微粗糙化處理面。所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分布的銅結晶，其中不同數量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶須，且不同數量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團。在掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有以下結構特征：(1)至少十個長為250nm且寬為250nm的第一平滑區域；(2)至少一個長為500nm且寬為500nm的第二平滑區域；(3)至少一個長為1,500nm以上的長島狀微結構，且所述長島狀微結構中有至少三個所述銅結晶及/或銅晶須；以及(4)至少兩個長為1,000nm以上的線條狀無銅區域。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的另外一技術方案是提供一種銅箔基板，其包括一基板以及一進階反轉電解銅箔，所述進階反轉電解銅箔設置于所述基板上，且具有一微粗糙化處理面接合于所述基板的一表面。所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分布的銅結晶，其中不同數量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶須，且不同數量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團。在掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有以下結構特征：(1)至少十個長為250nm且寬為250nm的第一平滑區域；(2)至少一個長為500nm且寬為500nm的第二平滑區域；(3)至少一個長為1,500nm以上的長島狀微結構，且所述長島狀微結構中有至少三個所述銅結晶及/或銅晶須；以及(4)至少兩個長為1,000nm以上的線條狀無銅區域。

在本發明的一實施例中，所述第一平滑區域與所述第二平滑區域內都不存在所述銅結晶。

在本發明的一實施例中，每一個所述銅晶須具有一頂部銅結晶。

在本發明的一實施例中，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。

在本發明的一實施例中，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度(Rz jis94)小于2.1微米。