[發(fā)明專利]量子點(diǎn)、量子點(diǎn)復(fù)合物及含其的發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110059429.8 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114763474B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 余世榮;趙飛;康永印;羅飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 納晶科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C09K11/02 | 分類號(hào)： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;C08F220/14;C08F222/24;C08F216/12;C08F222/16;C08F230/08;C08F2/44;C08K3/30 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 復(fù)合物 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種量子點(diǎn)，包括至少一種量子點(diǎn)配體，其特征在于，所述量子點(diǎn)配體包括至少兩個(gè)結(jié)合基團(tuán)，所述結(jié)合基團(tuán)用于與量子點(diǎn)表面配位，各所述結(jié)合基團(tuán)獨(dú)立地選自羧基或者巰基或氨基，所述量子點(diǎn)配體還包括碳碳雙鍵，所述結(jié)合基團(tuán)的數(shù)量為m，所述碳碳雙鍵的數(shù)量為n，m為2～10，n為1～10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其特征在于，可溶解所述量子點(diǎn)的溶劑的漢森溶解度參數(shù)的SP值為8～12，其中極化項(xiàng)δp為2以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述碳碳雙鍵位于所述量子點(diǎn)配體的端位，所述m＝n。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述量子點(diǎn)配體的化學(xué)結(jié)構(gòu)為：
或者
或者
或者
或者
或者
其中所述A為所述結(jié)合基團(tuán)，且各個(gè)結(jié)合基團(tuán)獨(dú)立地選自巰基或羧基或氨基，所述R1～R18各自獨(dú)立地選自烷氧基、酯基、烷基、具有取代基的烷基、硅氧烷基、芳香基、環(huán)烯烴基、環(huán)烷烴基、酰胺基、磷酸酯基組成的組中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述R1～R10各自的碳個(gè)數(shù)小于等于10；優(yōu)選地，所述R1～R10各自的碳個(gè)數(shù)小于等于6。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述R1、R2、R3、R5、R6、R7相同；所述R8、R9、R10相同；所述R13、R14、R15相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述R1、R5相同，所述R2、R6相同，所述R3、R7相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述烷氧基為C1～C4的烷氧基，所述酯基為C1～C4的酯基，所述烷基為C1～C4的烷基，所述具有取代基的烷基的碳主鏈為C1～C4的烷基。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其特征在于，在所述具有取代基的烷基中，所述取代基選自烷氧基、酯基、烷基、硅氧烷基、芳香基、環(huán)烯烴基、環(huán)烷烴基、酰胺基、磷酸酯基中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述量子點(diǎn)配體的分子量為250～2000，優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)配體的分子量為300～1500。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述量子點(diǎn)配體的熔點(diǎn)25℃，沸點(diǎn)100℃。
12.一種量子點(diǎn)復(fù)合物，其特征在于，所述量子點(diǎn)復(fù)合物包括權(quán)利要求1～11任一所述量子點(diǎn)和聚合物前體發(fā)生聚合反應(yīng)后的產(chǎn)物，所述聚合物前體具有至少一個(gè)碳碳雙鍵或碳碳三鍵。
13.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求12所述的量子點(diǎn)復(fù)合物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于納晶科技股份有限公司，未經(jīng)納晶科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/202110059429.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C09K 不包含在其他類目中的各種應(yīng)用材料；不包含在其他類目中的材料的各種應(yīng)用
C09K11-00 發(fā)光材料，例如電致發(fā)光材料、化學(xué)發(fā)光材料
C09K11-01 .發(fā)光材料的回收
C09K11-02 .以特殊材料作為黏合劑，用于粒子涂層或作懸浮介質(zhì)
C09K11-04 .含有天然或人造放射性元素或未經(jīng)指明的放射性元素
C09K11-06 .含有機(jī)發(fā)光材料
C09K11-08 .含無(wú)機(jī)發(fā)光材料
- 新的蛋白質(zhì)復(fù)合物
- 電燈的復(fù)合電極材料和其加工方法
- 有機(jī)復(fù)合物P－N結(jié)及其制備方法以及應(yīng)用該P(yáng)－N結(jié)的有機(jī)復(fù)合物二極管
- 復(fù)合物的形成方法和分離方法
- 人造侵襲素復(fù)合物
- 材料復(fù)合物和材料復(fù)合物的應(yīng)用以及具有材料復(fù)合物的包裝和用于制造包裝的方法
- 一種鎘螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 一種砷螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 一種鉛螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 用于促進(jìn)輔助T細(xì)胞產(chǎn)生TNF-α細(xì)胞因子的工程化DC細(xì)胞及方法
