[發(fā)明專利]外延用圖形化襯底及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611243584.0 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN106856164A | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州納維科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 圖形 襯底 及其 制作方法 | ||
1.一種外延用圖形化襯底，包括碳化硅層，其特征在于，所述碳化硅層的表面覆蓋有圖形化的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜在與碳化硅層表面原子臺階所對應(yīng)的位置具有窗口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用圖形化襯底，其特征在于，所述窗口的寬度范圍是10納米-3000納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用圖形化襯底，其特征在于，所述碳化硅層表面原子臺階的周期為0.1微米-3微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用圖形化襯底，其特征在于，每個臺階的寬度范圍是2納米-40納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用圖形化襯底，其特征在于，所述石墨烯為1-30層。
6.一種外延用圖形化襯底的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底，所述襯底表面為碳化硅材料；
對所述碳化硅材料實(shí)施退火使硅析出，從而在碳化硅材料的表面獲得石墨烯薄膜；
刻蝕石墨烯薄膜，使所述石墨烯薄膜在與碳化硅層表面原子臺階所對應(yīng)的位置形成窗口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍是1000℃-1800℃，退火時間為0.5小時-5小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，刻蝕所述石墨烯薄膜所述采用的刻蝕氣體為氫氣和氨氣中的一種或者其混合氣體，刻蝕溫度范圍是500℃-1200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述窗口的寬度范圍是10納米-3000納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳化硅層表面原子臺階的周期為0.1微米-3微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，每個臺階的寬度范圍是2納米-40納米。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯為1-30層石墨烯。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
