[其他]離子注入半導體瞬時退火設備

在審

• 申請號: 101985000000131
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100131B
• 公開（公告）日: 1987-02-25
• 發明（設計）人: 錢佩信;侯東彥;陳必賢;馬騰閣;林惠旺;李志堅
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 廖元秋;胡蘭芝

1、一種離子注入半導體瞬時退火設備，由高頻加熱爐、雙色紅外無接觸式測溫儀、充保護氣裝置、機械傳動和控制裝置、石英退火腔構成，其特征在于所說的石英退火腔包括矩形石英管和固定于管內的石墨板、石英導軌以及可以在導軌上滑動的石英片架、推動石英片架的石英桿，石墨板和石英退火腔外的高頻線圈組成了紅外輻射光源，石英導軌和石英片架、石英桿構成了半導體片的傳動系統，可使半導體片快速推至石墨板上方和拉出退火區，退火腔內充有氣體，是熱對流和熱傳導的媒介。

2、按權利要求1所說的瞬時退火設備，其特征在于所充氣體可為高純氮氣，也可為高純氮氫混合氣。

3、按權利要求1和2所說的瞬時退火設備，其特征是可用于絕緣層上多晶硅（SOI）的再結晶，只要將石墨加熱器改變一下形狀，使SOI形成細條狀熔區，當形成熔區后將石英片架緩慢拉出石墨加熱區則可完成再結晶。

4、按權利要求1和2所說的瞬時退火設備，其特征是可用于形成，難熔金屬硅化物和制備淺結的歐姆結，只需將硅片溫度升至共晶溫度，熱處理時間仍只需幾秒。