[其他]高分辨率深能級(jí)瞬態(tài)譜儀的設(shè)置方法及儀器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101985000000447
• 申請(qǐng)日: 1985-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN1003471B
• 公開（公告）日: 1989-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫勤生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、關(guān)于半導(dǎo)體深能級(jí)瞬態(tài)譜儀中瞬態(tài)信號(hào)處理儀的設(shè)置方法，其特征是對(duì)瞬態(tài)訊號(hào)設(shè)置多點(diǎn)組合率窗系列SRW（m），即對(duì)一個(gè)瞬態(tài)訊號(hào)設(shè)置多于兩個(gè)（m≥3）不同時(shí)間的取樣點(diǎn)（t₁、t₂、……t_m），由其組合構(gòu)成率窗，具體組合方法由比取樣點(diǎn)少一的二個(gè)相鄰近率窗的譜訊號(hào)之差獲取：

S_（3）＝S（t₁、t₂）-S（t₂、t₃）

S（m）＝S（t₁、t₂…t_m-1）-S（t₂、t₃…t_m）

＝S（t₁）-am2 ]]>S（t₂）+…+（-1）^n-1aS（t_n）+…+（-1）^m-1S（t_m）

2、按權(quán)利要求1所述的設(shè)置方法，其特征是每?jī)蓚€(gè)相鄰取樣點(diǎn)之間的時(shí)間間隔都相等或有長(zhǎng)短。

3、半導(dǎo)體深能級(jí)瞬態(tài)譜儀中瞬態(tài)訊號(hào)處理儀，由取樣電路、時(shí)序脈沖發(fā)生器，放大電路等組成，本發(fā)明特征是按權(quán)利要求1或2的方法設(shè)計(jì)，經(jīng)放大器或緩沖器后設(shè)有多于個(gè)取樣門，〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕為取樣電路，每個(gè)門后對(duì)應(yīng)串聯(lián)一個(gè)電阻〔R₁〕、〔R₂〕…〔R_m〕，時(shí)序脈沖發(fā)生器〔T、G〕與每個(gè)取樣門有連線，取樣電路后接由減器或比較放大器構(gòu)成的訊號(hào)處理電路，而后輸出譜訊號(hào)S（m）。

4、按權(quán)利要求3所述的儀器，其特征是取樣電路為取樣積分式電路，即取樣門〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕是取樣脈沖〔t₁〕、〔t₂〕…〔t_m〕控制的電路開關(guān)，或者是一取樣保持電路，即取樣門是由脈沖〔t₁〕、〔t₂〕…〔t_m〕控制的取樣保持電路。

5、按權(quán)利要求3或4的儀器，其特征是每取樣門后串聯(lián)的電阻〔R₁〕、〔R₂〕…〔R_m〕這樣選取，如果第一取樣門串聯(lián)的電阻是〔R₁〕，第m個(gè)電阻也是〔R₁〕，第n個(gè)電阻〔R_n〕的取值

R_m＝R₁/amn ]]>，a是二項(xiàng)式展開系數(shù)。

6、按權(quán)利要求3或4所述的儀器，其特征是取樣時(shí)序脈沖的第奇數(shù)個(gè)取樣門電路后的電阻均接到減法器的正輸入端（同相端），第偶數(shù)個(gè)取樣門電路后的電阻均接到減法器的負(fù)輸入端（反相端）。

7、按權(quán)利要求3或4所述的儀器，其特征是取樣保持電路中每個(gè)取樣門電路〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕，都包含有二個(gè)取樣保持電路，其中第一個(gè)取樣保持電路對(duì)訊號(hào)取樣，第二個(gè)取樣保持電路對(duì)取樣信號(hào)同步相加減。

8、按權(quán)利要求3或4所述的儀器，其特征是可用于制成高分辨率深能級(jí)瞬態(tài)電容譜儀，恒電容深能級(jí)瞬態(tài)譜儀，雙脈沖深能級(jí)瞬態(tài)譜儀，光激瞬態(tài)電流譜儀，瞬態(tài)電荷譜儀中訊號(hào)處理儀，或者可以制成組合上述功能的多功能深能級(jí)瞬態(tài)譜儀。