[其他]可集成化的高頻寬帶超線性放大器及其制造方法

在審

• 申請號: 101985000000523
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN1005809B
• 公開（公告）日: 1989-11-15
• 發明（設計）人: 于志偉
• 申請（專利權）人: 于志偉
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種基本放大器的制造技術，涉及高頻、寬帶、超線性、低噪聲、高穩定、高可靠、深負反饋或以上性能任意組合的分立或集成、厚膜、薄膜生產方法，或者其中任意幾種的組合生產法。本發明的特征在于控制分布參數，改善地線系統、元件緊密排列、改善變壓器參數，使本發明的放大器可使用在近50GHz或以下，從而使Hf·△f（閉環增益×有效使用帶寬）和（1+Kβ）·△f（反饋深度×有效使用帶寬）乘積增大。施以公知的二窄一寬與公知的波特校正法的折衷，可使本發明的放大器校正大為簡化，適用于大規模生產，并可系列化設計與生產。適用于近50GHz或以下的頻率范圍的各種用途。

2、按權利要求1所述的放大器，其進一步的特征在于：采用粗短導線或多層板技術，使地線系統的分布電感量在10^-20～10^-4H之間，而對于其它元件的分布電容在10^-13～10^-8F之間，可使反饋加深至少4%。

3、按權利要求1或2所述的放大器，其進一步的特征在于：采用改變變壓器磁蕊形狀或采用改變繞制方法或兩者兼用之，使變壓器的漏感與電感量之比為10^-1～10^-6之間，各相對分布電容在10^-13F～10^-8F（包括對地），可使反饋加深至少8%。

4、按權利要求1所述的放大器其進一步的特征在于，采用元件緊密排列，使總的環路長度為0.1～400mm之間，可使反饋至少增加12%。

5、按權利要求1所述的放大器，控制校正元件參數與晶體管參數使某一級的帶寬為另二窄級的2-10⁴倍，再同時加入波特校正法，使校正元件數降為波特法的98%～5%之間，最少為1～7個，可以只在某1～2個節點，插入串聯吸收網絡。

6、按權利要求1所述的放大器，其進一步的特征在于，用于一級加三級或二級加二級或各種組合型，達到其一級加三級型的Kf△f和（1+Kβ）△f優于二級加二級式，因其三級型的上述特性較波特三級型低5dB。

7、按權利要求1所述的放大器，其進一步的特征在于，將其共發型改為共基或其它組合，可達到原來的效果。

8、按權利要求1所述的放大器，其進一步的特征在于：可變更輸入輸出端子。若輸入改為第一級發射極入，可獲得低阻抗等，或改變使用頻帶范圍等。

9、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：在末級發射極加入R·L網絡，可抗二次擊穿，提高抗雷擊性能。

10、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：采用變壓器的反饋端子抽頭下移或減小反饋阻抗對于輸入、輸出信號的分流之方法，可獲得在3.1KHz帶寬，300K室溫，-137dB近的低噪聲，如溫度下降可按理論值下降。

11、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：本放大器可用晶體管或電子管或其它器件制造。

12、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：可通過改變反饋阻抗的方法改變增益與頻響曲線。

13、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：由于大大減少了元件，如最少可為1-7個校正元件，從而提高可靠性與穩定性。

14、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：不使用變壓器時，可同時加電流反饋與電壓反饋，以獲得定阻抗。

15、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：可以因無變壓器而集成化，亦可獲得-137dB的低噪聲。

16、按權利要求1所述的放大器，其進一步特征在于：采用部份或全部分隔或MOS高電場隔離法或三者兼之，可以進行集成、厚、薄膜化制造，以消除各種分布參數的影響。