[其他]低機械品質因素壓電陶瓷材料在審
| 申請號: | 101985000000710 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100710B | 公開(公告)日: | 1988-01-06 |
| 發明(設計)人: | 劉永懷 | 申請(專利權)人: | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 機械 品質 因素 壓電 陶瓷材料 | ||
一種包含有0.05克分子的鋰銻酸鉛,0.46克分子的鈦酸鉛0.49克分子的鋯酸鉛,并以0.01至0.15的Sr置換Pb所形成的本發明的陶瓷材料,具有極低的機械Q值,高的靈敏度,高的諧振阻抗及適宜的耦合系數,介電常數,且具有成本低。易于制造等特點,是超聲無損檢測較為理想的材料。
本發明屬于壓電陶瓷材料及其制法
在不同的使用場合,對壓電陶瓷材料的性能有不同的要求。在超聲無損檢測中,隨著探測精度的不斷提高,迫切要求探頭能適應高頻,高阻尼、高分辨率,小盲區的要求。從目前的材料性能來看,PZT材料雖有較高的靈敏度,但徑向和厚度的耦合系數Kp,Kt較為接近。機械Q值雖在100左右,但仍較高,PbTiO3材料(上田一朗等Nati onal Tech Report.18(1972)413)雖然厚度耦合系數Kt比徑向耦合系數大得多,但機械Q值卻高達1000,PbNb2O6雖有厚度耦合系數大,介電常數低,Qm低(約11)等優點(Satoshi Nanamatsce etal.N.E.C Research & Development.27(1972),17),但壓電常數d33值又較低,同時該材料的制造工藝又不易掌握,另外PSN雖是無損檢測用的一種較好的材料,(L.Egerton and C.A Bieling Amer Ceram Soe Bull 47(1968)1151),但需采用熱壓工藝,不但材料的成本高,又不便于批量生產。另外PZT陶瓷一般的Qm在80左右,W.Wersing經過努力也只將Qm降至20左右(W.Wersing.Low-Q PZT Ceramics.Ferroelectrics 1980 Vo126,PP 783~86)再降低就很困難了。
本發明的目的就在于尋求一種新的材料,降低其徑向耦合系數,介電常數,機械Q值,提高諧振阻抗。改善工藝條件,以適應這方面的要求。
Pb(Li1/4Sb3/4)O3-PbTiO3-PbZrOs系固溶體具有低的機械Q值(約80左右)高的機電耦合系數(Kp約0.70左右)和高的介電常數(約1000左右)(JP 特昭45-35511)
本發明就是從這鋰銻鋯鈦酸鉛系出發,選取不同的各成份的組成百分比(克分子比),并且用不同量的Sr置換Pb來達到降低徑向耦合系數與厚度耦合系數之比,降低介電常數和機械Q值,提高諧振阻抗的目的。
本發明的一個實施例所包含的成份,其化學式為
{Pb1-xSrx〔(Li1/4Sb3/4)〕O3}0.05-{Pb1-xSrxTiO3}0.46-{Pb1-xSrxZrO3}0.49
亦即Pb1-xSrx〔(Li1/4Sb3/4)0.05Ti0.46Zr0.49〕O2
就是說以0.05克分子的鋰銻酸鉛(Pb(Li1/4Sb3/4)O3)、0.46克分子的鈦酸鉛(PbTiO3)和0.49克分子的鋯酸鉛(PbZrO3)所形成的三元系固溶體,以0.01至0.15克分子的Sr置換Pb而得本發明的低Qm壓電陶瓷材料,其置換量X的最佳值為0.05克分子。
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