[其他]高抗干擾HP-MOS系列集成電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000002308 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85102308B | 公開（公告）日： | 1988-07-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 寧震寰 | 申請（專利權(quán)）人： | 鄭州大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 河南省專利代理中心 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 河南省鄭州*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 抗干擾 hp mos 系列 集成電路 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、HP-MOS系列集成電路的特征是：在負24V±4V電源下，其高抗干擾端噪聲容限10V≤△VN≤14V，并可外接電容調(diào)節(jié)動態(tài)噪聲容限△T的大小，tr，tf并不增大，且△TH＝△TL，即在相同頻率下，△TN接近最大值，可以方便的與C-MOS、LS-TTL、LH-DTL等集成電路直接連接使用的高抗干擾的E/DP-MOS集成電路。
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