[其他]集成濾波器線路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000002345
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85102345B
• 公開（公告）日: 1988-04-13
• 發(fā)明（設計）人: 三浦邦昭;福島勇夫;岡田義憲;工藤滿;久保田畯
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

一個集成濾波器線路，至少包含多個集成電阻和多個集成電容，這種集成濾波器線路由許如并聯(lián)的濾波器線路所組成。線路中至少各電阻的阻值或各電容的容量都是不同的。一個開關用來轉換該并聯(lián)濾波器線路，并用控制這個開關的方法來選擇一條上述的關聯(lián)濾波器線路。

這項發(fā)明是關于一集成濾波器線路，它適合于制造在一塊硅片上的單片集成電路（單片IC）內或類似電路內。

由于集成電路（單片IC，或在下面簡寫為IC）集成度的提高，實現(xiàn)分立元件濾波器的集成化已變得很重要，它可用來生產(chǎn)小而價廉的線路，迄今為止所使用的大多數(shù)的濾波器，是由電感L、電容C以及電阻R所構成。因為電感L難于集成化，僅由電容C和電阻R構成的有源濾波器，是適宜于做成集成電路的。圖1示出了一個眾所周知的雙T陷波電路。在該圖中，如果電阻R₁、R₂、R₃和電容C₁、C₂、C₃選成具有如下的關系：

〈＆＆〉

當我們將這種結構的濾波器制造成集成電路時，就會遇到一個離散的問題。這就是在集成電路中，由于半導體中含有參差不一的雜質濃度和掩模對得不齊，各個電容和電阻的數(shù)值都是離散的。舉例來說，電容C的容量和電阻R的阻值分別具有±20%和±＊%之大的變化。因此，圖1的陷波濾波器的陷波頻率，在如圖2所示的a（f_r）到b（f′）的范圍內變化。在最壞的情況下，陷波頻率f_r偏離±35%。在這種情況下，濾波器的實際應用是極其困難的。為了克服這個困難，用激光修整，使得集成電路塊上電阻的阻值得到調節(jié)，以致電阻的離散能夠得到克服。但是，這種方法不能解決精密度、產(chǎn)量等等問題。

因此，這項發(fā)明的目標是要提供一種具有克服集成電容和電阻離散的能力，以及由于消除了上述缺點，能保證獲得好特性的集成濾波器線路。

為了達到本發(fā)明的這個目標，這里提供了一種集成濾波器線路，它由許多并聯(lián)的濾波器線路所組成。而每一濾波器線路又由多個電容和多個電阻構成。這些元件不論是電阻或電容，至少具有不同的數(shù)值。并采用選擇一個并聯(lián)濾波器的方法，就可以使集成電容和電阻的離散得到克服。另外，采用變容二極管作為集成電容，能夠擴大克服離散的范圍，并提高精密度。

現(xiàn)在的這項發(fā)明，可以從下面的詳細描述及附圖中顯而易見。在附圖中：

圖1是一個雙T型陷波濾波器的線路圖;

圖2是表示陷波頻率離散的特性曲線圖;

圖3是這項發(fā)明的一個具體方塊圖;

圖4是圖3具體實例的一個線路圖;

圖5是用來解釋克服陷波頻率離散的圖;

圖6是這項發(fā)明的另一具體線路圖;

圖7是變容二極管一條特性的圖形;

圖8和圖9是用來說明變容二極管結構的示圖;

圖10和11是這項發(fā)明的另外兩個具體實施例;

圖12A是按照這項發(fā)明設計的濾波器線路的一個轉換線路例子的方塊圖;

圖12B是通過頻譜分析儀所檢測的一頻譜。

圖13、14a、14b是圖12中所示的開關103的具體電路;

圖15為本發(fā)明中一低通濾波器實施例;

圖16為本發(fā)明中一高通濾波器實施例;

圖17是說明圖15、16中陷波頻率的特性曲線圖。