[其他]抗輻射半導體器件在審
| 申請號： | 101985000003269 | 申請日： | 1985-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN85103269B | 公開（公告）日： | 1987-02-04 |
| 發明（設計）人： | 櫻井博司 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 肖春京;張衛民 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1、抗輻射半導體器件包括：
a）、一半導體基片，它包括一種導電類型的至少一個區和另一種相反導電類型的至少一個區;
b）、分別與一種導電類型所說的區及相反導電類型所說的區保持歐姆接觸的電極，其特征在于，上述兩個所說的區域中至少有一個是摻雜了決定其導電類型的雜質，所說的雜質是指同一元素的各種同位素中熱中子吸收截面較小的那種同位素，并經富集化了的。
2、根據權利要求1的一種抗輻射半導體器件，其中所說的用以確定某種導電類型的雜質是熱中子吸收截面較小的那種同位素，是從原子質量數為11的硼B、原子質量數為69的鎵Ga和原子質量數為113的In構成的那一組元素中選定的一種元素。
3、根據權利要求1的一種抗輻射半導體器件，其中所說的用以確定另一種相反導電類型的雜質是熱中子吸收截面較小的那種同位素，是原子質量數為123的銻Sb。
4、根據權利要求2的一種抗輻射半導體器件，用以確定另一種相反導電類型的雜質是從磷P和鉍Bi構成的那一組元素中選定的一種元素。
5、根據權利要求3的一種抗輻射半導體器件，其中，用以確定某一導電類型的雜質是鋁A1。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立制作所，未經株式會社日立制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/101985000003269/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：帶可移動催化劑床的多極反應器系統
- 下一篇：環形脹式制動器
- 同類專利
- 專利分類
