[其他]光電池

在審

• 申請號: 101985000003355
• 申請日: 1985-05-13
• 公開（公告）號: CN1003150B
• 公開（公告）日: 1989-01-25
• 發明（設計）人: 深津猛夫;武內勝;后藤一幸
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 何光元

1、一種把光能變換為電能的光生伏特電池，具有透光性的基片，在上述基片上的透光性的第1電極層，在上述第1電極層上的第1導電型的第1半導體層、在上述第1半導體層上的第1導電型的第2半導體層、在上述第2半導體層上的第2導電型的第3半導體層、在上述第3半導體層上的第3導電型的第4半導體層，以及在上述第4半導體層上的第2電極層，本發明的特征是，上述第1半導體層的厚度t₁為25A＜t₁＜300A，而上述第2半導體層的厚度t₂為1000A＜t₂＜1000A;在上述第1及第2半導體層生成多數載流子的激活電能分別是在0.3eV以下及0.3eV以上。

2、根據權利要求1所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第1及第2半導體層的光能帶間隙大于上述第3半導體層的光能帶間隙，而上述第1半導體層的光能帶間隙則大于上述第2半導體層的光能帶間隙。

3、根據權利要求2所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第1、第2及第3導電型分別為P、I及N型，上述第1半導體層是由微晶硅或者鉑族元素的氧化物組成的。

4、根據權利要求2所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第3半導體層是I型的非晶硅。

5、根據權利要求2所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第2半導體層在照射強度為100mW/cm²的赤道太陽光譜（AM-1）的照射下，具有10^-5Ω^-1cm^-1以上的光電導率。

6、根據權利要求3所述的光生伏特電池，其特征在于，上述微晶硅層是用濺射方法形成的。

7、根據權利要求3所述的光生伏特電池，其特征在于，上述氧化物是氧化銥。

8、根據權利要求7所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第2半導體層是非晶碳化硅。

9、根據權利要求8所述的光生伏特電池，其特征在于，上述非晶碳化硅層的含碳量是從接近上述第1半導體層的一側向接近上述第2半導體層的一側遞減，而光能帶間隙則隨著含碳量的減少而減小。

10、根據權利要求1所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第1半導體層的厚度較好為30-200A。

11、根據權利要求1所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第1半導體層的厚度最好為40-150A。

12、根據權利要求1所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第2半導體層的厚度較好為300-700A。

13、根據權利要求1所述的光生伏特電池，其特征在于，上述第2半導體層的厚度最好取為40-600A。

14、一種把光能變換為電能的光生伏特電池，具有透光性的基片，在上述基片上的透光性的第1電極層，在上述第1電極層上的第1導電型的第1半導體層、在上述第1半導體層上的第1導電型的第2半導體層、在上述第2半導體層上的第2導電型的第3半導體層、在上述第3半導體層上的第3導電型的第4半導體層，以及在上述第4半導體層上的第2電極層，本發明的特征是，上述第1、第2及第3的導電型分別為P、I及N型，上述第1半導體層則由微晶硅或者鉑族元素的氧化物組成。