[其他]半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)線材料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000003501 | 申請日： | 1985-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN1003065B | 公開（公告）日： | 1989-01-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 官藤元久;松井隆;田英和 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社神戶制鋼所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 羅宏;劉元金 |
| 地址： | 日本兵庫縣神戶*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 導(dǎo)線 材料 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種用于半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)線材料，其特征在于按重量計包括Ni0.4至4.0%、Si0.1至1.0%、Zn0.05至1.0%、Mn0.01至1.0%、Mg0.001至0.01%以下、Cr0.001至0.01%以下，S最多可達(dá)0.003%，余下的是Cu和不可避免的雜質(zhì)，該導(dǎo)線材料還包括高達(dá)5ppm的氫及高達(dá)5ppm的氧。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的導(dǎo)線材料，其中S大致上是以MgS的形式存在。
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