[其他]絕緣層上多晶硅的激光加熱再結晶方法在審
| 申請號： | 101985000003942 | 申請日： | 1985-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN85103942B | 公開（公告）日： | 1988-03-16 |
| 發明（設計）人： | 林成魯;鄒世昌;沈宗雍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 多晶 激光 加熱 再結晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種激光加熱再結晶制備SOI材料的方法，它使用連續氬離子激光束掃描加熱位于SiO2夾層中的多晶硅使之再結晶，其特征在于：在激光加熱之前形成單晶硅-熱氧化SiO2-多晶硅-化學氣相淀積SiO2夾層結構，其中熱氧化SiO2，多晶硅及化學氣相淀積SiO2層的厚度分別為：0.1～1μm，0.5～0.8μm及0.5～1.5μm。
2、根據權利要求1所述的方法，其特征是，所采用的氬離子激光器功率為6-10W，光斑直徑40-80μm，樣品置于x、y兩維自動掃描的工作臺上，x方向掃描速度2-10cm/秒，y方向每次步進使相鄰的掃描線重迭50%，用一般加熱方法使整個樣品在再結晶過程中保持在250-550℃，激光輻照加熱時局部多晶Si層的溫度為1415-1600℃。
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