[其他]耐熱薄膜光電轉(zhuǎn)換器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000004921
• 申請日: 1985-06-27
• 公開（公告）號: CN1003267B
• 公開（公告）日: 1989-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高田純;山口美則;太和田喜久
• 申請（專利權(quán)）人: 鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會社
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部
• 代理人: 崔曉光;李雒英

1、一個耐熱薄膜光電轉(zhuǎn)換器，該光電轉(zhuǎn)換器包括一半導(dǎo)體，一個前透明電極和一個金屬背電極，其特征在于：將一個厚度為5到300之間的金屬硅化物制成的一個擴(kuò)散阻擋層設(shè)置在該半導(dǎo)體和金屬背電極之間。

2、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中金屬硅化物的擴(kuò)散阻擋層厚度為7至100。

3、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中金屬硅化物中含金屬的原子百分比為1-90%。

4、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中所提及金屬硅化物層的吸收系數(shù)在400nm到700nm波長時為10⁶到10⁴/Cm。

5、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中，金屬硅化物中的金屬是元素周期表ⅥB族中的金屬。

6、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中金屬硅化物是硅化鉻。

7、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中半導(dǎo)體是非晶半導(dǎo)體和微晶半導(dǎo)體這組物質(zhì)中的至少一種。

8、權(quán)利要求7的轉(zhuǎn)換器，其中半導(dǎo)體是一種硅合金，并且是H、F、N、C、Ge和S這組硅合金中的至少一種。

9、權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器，其中光電轉(zhuǎn)換器的一個電極是一種金屬電極，該金屬電極的金屬的電導(dǎo)率為0.1×10⁵到6.2×10⁵ΩCm^-1，反射率為20%到99%。

10、權(quán)利要求9的轉(zhuǎn)換器，其中金屬電極的導(dǎo)電率為3.0×10⁵到6.2×10⁵ΩCm^-1，反射率為50%到99%。