[其他]高速硅光敏三極管在審
| 申請號： | 101985000005936 | 申請日： | 1985-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN85105936B | 公開（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發明（設計）人： | 何民才 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 武漢大學專利事務所 | 代理人： | 陳暢生;龔茂銘 |
| 地址： | 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高速 光敏 三極管 | ||
【權利要求書】：
1、一種高速硅光敏三極管，其特征在于：所說的光敏三極管的受光面包括暴露于受光面的集電區和基區，所說的基區為網格狀，所說的暴露于受光面的集電區位于被基區包圍的網眼部分;所說的光敏三極管的集電區不僅包括通常的位于基區下部的集電區，而且還包括與下部集電區相通的，多個位于被基區包圍的網眼部位的暴露于受光面的集電區。
2、根據權利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：發射區由兩條以上細條組成。
3、根據權利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：襯底材料選用電阻率為0.4-20Ω-Cm，層厚為6-8μm的N型硅外延片。
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