[其他]結型場效應晶體管電阻式差動放大器

在審

• 申請號: 101985000006483
• 申請日: 1985-08-29
• 公開（公告）號: CN1004853B
• 公開（公告）日: 1989-07-19
• 發明（設計）人: 肯尼思·艾倫·賴德爾;托馬斯·約瑟·梅戈
• 申請（專利權）人: 基思利儀器公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬

1、JFET差動放大器，包括：

第一和第二JFET晶體管，其漏極連接在一起，

第一和第二電阻器，它們分別連接到上述晶體管的源極并匯成一個結點，

一個連接到上述晶體管柵極的輸入電路和一個連接到上述晶體管源極的輸出電路。

為了通過上述電阻器給上述源極加偏置，對上述結點提供直流偏置電壓Vss的裝置，

提供一直流漏極偏壓V_DD至所說共同連接的漏極的裝置，其特征是：

上述偏置電壓供給裝置提供選定數值的電壓，以便上述JFET晶體管工作在漏電流I_D一漏源電壓V_DS特性曲線的電阻區，由此作為電壓控制的電阻器，其阻值隨柵一源電壓V_OS的大小而變化。

2、如權利要求1中所要求的，JFET差動放大器其進一步特征在于，上述偏置電壓供給裝置提供選定值的偏置電壓以便使每個JFET晶體管工作在其漏一源電壓V_DS小于V_DS-V_DSOFF電壓的狀態下，其中V_OSOFF是當上述JFET晶體管額定基本上沒有漏電流時的柵對源電壓。

3、如權利要求2中所要求的，JFET差動放大器，其進一步特征在于，上述第一和第二電阻器具有相等的電阻值。

4、如權利要求3中所要求的，JFET差動放大器，其進一步特征在于，上述第一和第二電阻器的電阻分別大于上述第一和第二晶體管的溝道電阻。

5、如權利要求4中所要求的，JFET差動放大器其進一步特征在于，每個上述第一和第二電阻器的電阻值是每個上述第一和第二晶體管溝道電阻值的二十倍。