[其他]強光離子滲金屬裝置及其方法在審
| 申請號： | 101985000006757 | 申請日： | 1985-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN1004933B | 公開（公告）日： | 1989-08-02 |
| 發明（設計）人： | 李仲君 | 申請（專利權）人： | 電子工業部工藝研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 電子工業部專利服務中心 | 代理人： | 邱應鳳;徐嫻 |
| 地址： | 山西省太原市*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 強光 離子 金屬 裝置 及其 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種離子滲金屬方法，包括：
（1）在鐘罩1內設置有陽極2、陰極座5及偏壓環3，工件6被置于陰極座5上
（2）將真空室的真空度抽到1×10-5托后，充入氬氣，壓力控制在4×10-1-8×10-2托
（3）啟動工作電流進行滲鍍
其特征在于：
-陰極由陰極座5和桶形靶4構成，工件6被置于桶形靶4中，工件6周圍放置有滲入金屬碎片7，且工件6與桶形靶4同電位
-陽極2與陰極座5之間的電壓為600-1000伏，偏壓環3的電壓為100-450伏
-滲金屬時工件溫度控制在900-1050℃。
2、一種離子滲金屬裝置，其特征在于：在陰極座5上有一個能產生高能量離子區、一面開口的桶形靶4，在桶形靶4內有工件6和滲入金屬碎片7，這三者與陰極座5同電位，桶形靶4用滲入金屬制成。
3、根據權利要求2所述的裝置，其特征在于：桶形靶4呈園形或方形或長方形。
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