[其他]二氧化碲單晶體的生長技術

在審

• 申請號: 101985000007803
• 申請日: 1985-10-09
• 公開（公告）號: CN1005159B
• 公開（公告）日: 1989-09-13
• 發明（設計）人: 蒲芝芬;葛增偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 潘振**;聶淑儀

1、一種二氧化碲（Teo₂）單晶的坩堝下降生長方法，其特征在于：（1）原料預燒;

將光譜純TtO₂原料裝入氧化鋁瓷坩堝中，在坩堝下降爐內預處理，于700℃保溫12～15小時，再快速冷卻至常溫;

（2）準備籽晶切向和制作鉑金坩堝;

可選沿〔110〕、〔001〕、〔100〕、以及任一方向生長的籽晶;準備生長所需多種形狀的鉑金坩堝;

（3）晶體的生長;

A.裝料：將所需切向的籽晶及預燒處理過的料裝入所需形狀的鉑金坩堝內，密封;

B.裝爐：上述鉑金坩堝裝入陶瓷保護管內，其間空隙用耐火材料粉填實;

C.升溫：以每小時80-100℃速率升溫至780-800℃;保溫度1-4小時;

D.生長晶體：按每小時0.2-0.8mm速率下降鉑坩堝;下降結束后再以15-20℃/小時，降至低于100℃，切斷電源，自然冷卻。

2、根據權利要求1的生長方法，其特征在于：所述的多種形狀的坩堝，可以是方棒、橢圓形、菱形、板狀，圓柱形。

3、根據權利要求1的生長方法，其特征在于：

最佳坩堝下降的速度為0.4-0.6mm小時。

4、根據權力要求1或2的生長方法，其特征在于所述鉑金坩堝的直徑比生長晶體的大2-3mm。