[其他]MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵壓溫度篩選方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101985000007886
• 申請(qǐng)日: 1985-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN85107886B
• 公開（公告）日: 1988-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苗慶海;劉可辛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 代理公司: 濟(jì)南三達(dá)專利事務(wù)所
• 代理人: 王緒銀;楊富賢

1、一種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的篩選方法，包括：

（1）首先測(cè)量待試驗(yàn)晶體管的閾電壓V_T。

（2）將晶體管的源極和漏極短路，柵極和源極之間施加直流偏壓，置于恒溫中老化。

（3）保持柵源偏壓不變，取出晶體管置于室溫中冷卻至室溫，再去除偏壓。

（4）再測(cè)量晶體管的閾電壓值V_T′。

（5）比較閾電壓值ΔV_T＝｜V_T′-V_T｜，△V_T大的晶體管即為穩(wěn)定性和可靠性差的晶體管。

其特征在于在所述恒溫老化同時(shí)，在MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與源漏極之間加直流偏壓，而源極與漏極是（相互）短路的。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所說的篩選方法，其特征在于晶體管柵極與源極所加電壓為10-25伏（1×10⁶伏/厘米），老化溫度為150℃-170℃。