[其他]含氟的P型摻雜微晶半導體合金

在審

• 申請號: 101985000008047
• 申請日: 1985-11-02
• 公開（公告）號: CN85108047B
• 公開（公告）日: 1988-09-07
• 發明（設計）人: 薩布亨杜·古哈;詹姆斯·庫爾曼;斯坦福·R·奧欣斯基
• 申請（專利權）人: 能源轉換裝置公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬;李先春

1、一個光生伏打結構，包括在光學上和電學上都是串聯關系的一層配置在另一層上面的許多層（16b′、18b′、20b′）非晶半導體材料，這許多層包括一個P型電導層（16b′）、一個本征型層（18b′）和一個n型層（20b′），用以在所說的本征型層（18b′）中建立一個電場區，以收集在所說區域中由于吸收入射光而產生的電子-空穴對，其特征是，所說的P型層（16b′）是一個硅基的、含氟的、摻雜硼的微晶層，其激活能低于0.1電子伏特，電導率大于0.5歐姆^-1厘米^-1帶寬度大于1.9電子伏特。

2、一個串疊式光生伏打結構（10′），包括許多層在光學上和電學上串聯的一層配置在另一層上的許多層（16a′、18a′、20a′、16b′、18b′、20b′）非晶半導體合金材料，該光生伏打結構包括多個相反摻雜的層（20a′，20b′，16a′，16b′），用以建立多個電場區（18a′、18b′）以收集在所說的這些電場區域中由于吸收入射光而產生的電子空穴對，其特征是，所說的摻雜層（20a′、20b′、16a′、16b′）中至少有一層是硅基的、含氟的摻硼微晶層（16b′），其激活能低于0.1電子伏特、電導率大于0.5歐姆^-1，厘米^-1，禁帶寬度大于1.9電子伏特。