[其他]降低核電站中放射性的方法在審
| 申請號： | 101985000008112 | 申請日： | 1985-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN85108112B | 公開（公告）日： | 1987-11-04 |
| 發明（設計）人： | 大橋健也;本田卓;古谷保正;村榮二;湊昭;大角克己 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王棟令 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 核電站 放射性 方法 | ||
1、一種降低核電站中放射性的方法，對與含有放射物質的高溫高壓反應堆水相接觸的金屬結構元件，在該金屬元件被暴露在所述的反應堆水中之前即預先在所述的金屬結構元件的表面上形成氧化膜，其特征為有下述步驟：
將所述的結構元件放在高溫200℃或以上的水或蒸汽的環境介質中加熱該結構元件進行第一步氧化處理;以及
進一步將上述處理過的結構元件置于具有溶解氧溶度高于200ppb的水或蒸汽的環境介質中，對該處理過的結構元件加熱進行第二步氧化處理，并且在比第一步氧化處理的所述環境介質具有更高氧化能力的條件下形成一層比第一步氧化處理獲得的氧化膜更密切的氧化膜。
2、按照權利要求1的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第一步和第二步氧化處理是利用基本上不含有放射性物質的純水或其蒸汽進行。
3、按照權利要求2的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第一步氧化處理是利用高溫200℃或以上，并基本上不含放射性物質的具有溶氧濃度低于200ppb的純水進行。
4、按照權利要求3的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第一步氧化處理是利用高溫200℃或以上并基本上不含放射性物質的具有溶氧濃度為50到100ppb的純水進行。
5、按照權利要求4的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第一步氧化處理是利用高溫200℃或以上基本上不含有放射性物質的純水進行，該水中含有聯氨和有機酸的鹽類所構成的組合物中選出的一組或多組組合物。
6、按照權利要求6的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第二步氧化處理是利用具有溶氧濃度較高于200ppb基本上不含有放射性物質的200℃或以上高溫的純水進行。
7、按照權利要求5的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第二步氧化處理是利用具有溶氧濃度為300到1000ppb，溫度為200℃或以上高溫，基本上不含有放射性物質的純水進行。
8、按照權利要求7的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的第二步氧化處理是利用溫度200℃或以上高溫基本上不含有放射性物質的純水進行，該水中含有從由過氧化氫、鉻酸鹽和高錳酸鹽構成的組合物中選出的一組或多組組合物。
9、按照權利要求8的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的高溫純水是具有pH值為8到10的弱堿性水。
10、按照權利要求9的降低核電站中放射性的方法，其特征在于所述的結構元件是核電站中的附屬元件。
11、一種降低核電站中放射性的方法，對于由反應堆產生的蒸汽驅動汽輪機而轉動發電機來產生電能的核發電站，在構成該核電站的金屬結構元件的表面上，在其暴露在含有放射性物質的反應堆水之前，即將高溫200℃或以上基本上不含有放射性物質的純水從一個反應堆的壓力容器通過一個反復循環系統進行循環并有部分水通過反應堆水凈化系統補充循環到該壓力容器，從而在所述的金屬結構元件的表面上形成氧化膜，其特征為包括以下步驟：
將所述的結構元件放在高溫200℃以上基本上不含有放射性物質的循環純水中加熱進行第一步氧化處理，以及。
進一步將上述處理過的結構元件置于高溫200℃或以上基本上不含有放射性物質且具有溶氧濃度高于200ppb的循環純水中加熱進行第二步氧化處理，使其形成比第一步氧化處理中獲得的氧化膜更為密實的氧化膜。
12、一種降低核電站中放射性的方法，其特征為包括下述步驟：
將供水加熱器的加熱管置于高溫200℃或以上基本上不含有放射性物質的循環純水中加熱進行第一步氧化處理，以及
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