[其他]光電板及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000008403
• 申請日: 1985-10-10
• 公開（公告）號: CN1003324B
• 公開（公告）日: 1989-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 楊曉光

1、光電板包括一個作為顯示板的液晶顯示器件和一個作為寫入板的光探測器件，其中，液晶顯示器件和光探測器件做在第一公共襯底上，液晶顯示器件至少有一個液晶顯示單元和在電學上與其串聯(lián)的第一非線性元件，光探測器件至少具有一個光二極管;其特征在于，第一非線性元件是具有第一非單晶半導體迭層部件的第一非單晶半導體二極管，它用于給液晶單元加驅動信號，光二極管是具有第二非單晶半導體迭層部件的第二非單晶半導體二極管，它用于產(chǎn)生對應光強的探測信號，液晶顯示器件和光探測器件并排做在第一襯底上，液晶顯示器件的一個電極是由與第一襯底相對的位于液晶單元另一側第二襯底上的對向電極構成。

2、根據(jù)權利要求1所述光電板，其特征在于其中第二非單晶半導體迭層部件與第一非單晶半導體迭層部件結構相同;第一襯底是透明的;液晶單元和液晶顯示器件的第一非單晶半導體二極管并排做在透明第一襯底上;液晶單元的一個電極是由透明襯底上所形成的第一透明導電層的第一區(qū)域形成的;其中第一非單晶半導體二極管的一個電極至少是由第一透明導電層的一個第二區(qū)域形成的;其中第二非單晶半導體二極管的一個電極是由在透明第一襯底上所形成的第二透明導電層形成的。

3、根據(jù)權利要求2所述光電板，其特征在于其中第一非單晶半導體二極管的第一非單晶半導體迭層部件和第二非單晶半導體二極管的第二非單晶半導體迭層部件是分別由第一和第二非單晶半導體二極管電極上連續(xù)延展的非單晶半導體迭層部件的第一和第二區(qū)域形成的;第一和第二非單晶半導體二極管的另一電極是分別由第三非單晶半導體迭層上連續(xù)延展的第三導電層的第一和第二區(qū)域形成的。

4、根據(jù)權利要求1所述光電板，其特征在于其中光探測器件還有在電學上與所說光二極管串聯(lián)的第二非線性元件，第二非線性元件是與第一非單晶半導體迭層部件結構相同的第三非單晶半導體迭層部件;第一襯底是透明的;液晶單元和液晶顯示器件的第一非單晶半導體二極管在透明襯底上并排形成;其中第三非單晶半導體迭層部件在第二非單晶半導體迭層部件上形成;其中液晶單元的一個電極由在透明襯底上形成的第一透明導電層的第一區(qū)域形成;其中第一非單晶半導體二極管的一個電極由至少第一透明導電層的第二區(qū)域形成;其中第二非單晶半導體二極管的一個電極由在透明第一襯底上形成的第二透明導電層形成。

5、根據(jù)權利要求4所述光電板，其特征在于其中第一非單晶半導體二極管的第一非單晶半導體迭層部件和第三非單晶半導體二極管的第三非單晶半導體迭層部件分別由在第一非單晶半導體二極管的電極和第二非單晶半導體迭層上連續(xù)延展的非單晶半導體迭層部件的第一和第二區(qū)域形成;其中第一非單晶半導體二極管的另一電極和第三非單晶半導體二極管的一個電極分別由在第三個非單晶半導體迭層部件上連續(xù)延展的第三導電層的第一和第二區(qū)域形成。

6、制作光電板的方法，其特征在于包括這些步驟：

（a）、通過在具有絕緣表面的第一襯底上形成以矩陣形式排列的具有第一和第二區(qū)域的第一導電層，以及在第一導電層列之間縱向延展的第二導電層而形成第一襯底部件;

（b）在第一襯底部件上，形成在第一導電層的第一區(qū)域和第二導電層上連續(xù)延展的非單晶半導體迭層部件，它可以是N（或P）-N（或P）-N（或P）、N（或P）-P（或N）-N（或P）、N（或P）-i-P（或N）-i-N（或P）、P（或N）-i-N（或P）結構;

（c）形成在非單晶半導體迭層部件上連續(xù)延展的，且與第一導電層的第一區(qū)域和第二導電層對置著的第三導電層;

（d）通過在具有絕緣表面的第二襯底上形成對置于第一導電層的第二區(qū)域的第四導電層從而形成第二襯底部件;

（e）將第一和第二襯底部件相互平行安置;

（f）在由第一和第二襯底部件限定的空隙間充入液晶。

7、制作光電板的方法，其特征在于包括這些步驟：