[其他]瓷介電容器化學鍍鎳方法在審
| 申請號: | 101985000008949 | 申請日: | 1985-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN85108949B | 公開(公告)日: | 1988-09-28 |
| 發明(設計)人: | 張海成 | 申請(專利權)人: | 遼寧省遼陽市無線電器件廠 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 遼寧專利事務所 | 代理人: | 吳曉東 |
| 地址: | 遼寧省遼陽市*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 化學 方法 | ||
本發明是把化學鍍技術運用于瓷介電容器的電極金屬化,化學鍍技術用于瓷介電容器生產的關鍵在于能否提高鍍層與瓷體間的附著力,減小化學鍍過程中造成的附加損耗。本發明通過用含氫氟酸和鉻酐的酸蝕液進行預處理,通過對蝕后瓷體的徹底清洗。通過對敏化、活化后的清洗,通過在含硫酸鎳,次磷酸鈉和焦磷酸鈉的溶液中進行預鍍等特殊方法,使鍍層附著力大,化學鍍過程中造成的附加損耗小,從而使制出的電容器的性能達到產品的標準。
本發明是一種化學鍍技術,特別適用于瓷介電容器的電極金屬化。
瓷介電容器是一種必不可少的電子元件,它的種類繁多,用量巨大,但歷來制備瓷介電容器的電極都是用燒滲銀法,由此所消耗掉的白銀量是非常驚人的。將化學鍍技術應用于瓷介電容器的電極金屬化,不僅能節省大量的白銀,同時也降低了瓷介電容器的生產成本。
目前國外在瓷表面進行化學鍍,一般采用預處理、清洗、敏化、活化、鍍膜等過程,用這種方法處理的缺點是:瓷基體與金屬鍍層之間的結合力弱,電容器的介質損耗角正切值大,鍍層不均勻,產品性能達不到產品標準的要求。在JP58-7984《玻璃、陶器的無電解電鍍方法》專利中,采用在錫離子和氟離子溶液中進行敏化,在含鈀離子或銀離子溶液中進行活化。該法雖然克服了用一般化學鍍所產生的瓷基體與金屬鍍層之間結合力弱的問題,但還解決不了電容器的介質損耗角正切值大,鍍層不勻等問題。該法用于瓷介電容器鍍鎳,其產品達不到產品標準要求。
本發明的目的在于解決上述方法中存在的瓷介電容器鍍層不勻,介質損耗角正切值大等缺點,把化學鍍技術應用于瓷介電容器的電極金屬化,使瓷介電容器的產品達到產品標準要求的范圍。
本發明的要點是采用新的預處理工藝,預處理后進行徹底清洗,經敏化、活化后進行清洗,在含硫酸鎳、次磷酸鈉和焦磷酸鈉的預鍍液中進行預鍍,然后再鍍膜。
本發明的內容是,在預處理的酸蝕液中除了含有硫酸外,還含有氫氟酸15%~20%(體積),鉻酐40~60克/升。使蝕后的瓷基體粗化程度和均勻度好,親水性好。預處理方法是:將瓷體裝入滾鍍機的滾筒內,浸入室溫的酸蝕液中,滾動浸蝕5~20分鐘。
預處理后的清洗,本發明采用先用自來水沖洗。后用去離子水煮沸,再用去離子水超聲洗,然后離心甩干,在100~200℃的溫度內烘干,并在800~860℃的高溫下燒臟,進行徹底清洗。
敏化、活化后的清洗,是用去離子水蕩洗3~5次,每次1分鐘,使pH值達到6~7為止。
活化后將瓷體浸入濃的次磷酸鈉溶液中浸泡數分鐘,使瓷體表面殘留的鈀離子全部還原成鈀金屬。
本發明提供的預鍍條件是在含硫酸鎳0.03~0.05克/升,次磷酸鈉20~30克/升,焦磷酸鈉15~20克/升的溶液中進行預鍍。預鍍液與鍍液的溫度相同,預鍍液可根據施鍍液的需要在50~90℃的范圍內選擇。預鍍時間為1~3分鐘。
經預鍍處理后,迅速將鍍件移入鍍液中施鍍。為保證產品的潮后性能,鍍液應選用酸性鍍液。
本發明所提供的上述瓷介電容器電極金屬化技術,其優點在于:本發明所提供的酸蝕液中含氫氟酸較多,酸蝕后瓷基體粗化程度和均勻度好,可同時完成粗化和提高活性化的兩個目的,使鍍層厚度均勻,與瓷體間的附著力大。預處理后本發明采用先水洗后高溫燒臟的徹底清洗法,從而保證了電容器的介質損耗角正切值減小到產品標準允許的范圍內。由于本發明采用的預鍍液具有很強的還原作用,經預鍍后,可以防止鍍件在施鍍前被反氧化,同時在鍍件表面先鍍上一層很薄的均勻的鎳金屬層,從而提高了鍍件表面的催化能力,使鍍件表面在進入鍍液施鍍時,處于均勻一致的最佳活性狀態,因此施鍍的起始反應強烈,提高了鍍膜效率和鍍層的均勻度。本發明的又一突出特點在于,發明所提供的化學鍍方法,適用于所有不同瓷料的高頻和低頻瓷介電容器的電極金屬化。用本發明進行的瓷介電容器的電極金屬化,其產品性能完全滿足了產品標準的要求。
電極附著力: ≥30kg/cm2
絕緣電阻:在正常氣候條件下 ≥200000兆歐
介質損耗角正切值:高頻電容器≤15×10-4
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