[其他]碳化硅(SiC)二極管溫度傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000009140 | 申請日： | 1985-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN85109140B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 綦明剛;周嶅;邱莉;吳鐵;張?jiān)佔(zhàn)?/a>;鄒小興 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北省襄樊市機(jī)電研究所;國家建材工業(yè)局建筑材料科學(xué)研究院玻璃科學(xué)研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 襄樊崇科專利事務(wù)所 | 代理人： | 孟景前;樊靈芬 |
| 地址： | 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅 sic 二極管 溫度傳感器 | ||
1、一種碳化硅二極管溫度傳感器，包括一個(gè)碳化硅PN結(jié)、鎢膜和金膜做復(fù)合膜電極，用兩段金絲做引線，鉑絲或鎳絲做后引線，氧化鋁瓷管做后引線絕緣固定子，其特征在于以P型碳化硅單晶做基底外延N型層時(shí)，同時(shí)使氮原子擴(kuò)散到P型基底中去;或者以N型碳化硅單晶做基底時(shí)，外延的P型層厚度小于0.1毫米;整個(gè)PN結(jié)用一種微晶玻璃包封。
2、按照權(quán)利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于PN結(jié)的P型層中氮原子摻雜是用純氮?dú)猓谕庋覰型層的同時(shí)，由外延面和另一面同時(shí)擴(kuò)散進(jìn)入P型基底中去。
3、按照權(quán)利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于包封PN結(jié)所用的微晶玻璃組份范圍（wt%）是：
ZnO 25～55 MgO 2～7
B2O3 15～25 BaO 2～7
SiO2 8～27 SnO2 1～3
Al2O3 3～15 Cr2O3 0～1
最佳組份范圍（wt%）是：
ZnO 30～50 MgO 4～5
B2O3 20 BaO 4～5
SiO2 10～25 SnO2 2～3
Al2O3 5～12 Cr2O3 0～1
4、按照權(quán)利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封溫度范圍是650～800℃，最佳包封溫度范圍為650～750℃。
5、按照權(quán)利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封時(shí)間范圍是1～60分鐘，最佳包封時(shí)間是5～40分鐘。
6、按照權(quán)利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封氣氛為空氣。
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