[其他]制造半導體集成電路器件的方法

在審

• 申請號: 101985000009742
• 申請日: 1985-11-22
• 公開（公告）號: CN85109742B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發明（設計）人: 池田修二;長澤幸一;元吉真;永井清;目黑憐
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 郁玉成

1、一種制造半導體集成電路器件的方法，它包括：

（a）在半導體基片的主表面上形成每一個N溝道MOS場效應晶體管以及P溝道MOS場效應晶體管的工序，所說N溝道MOS場效應晶體管有N型半導體區域，而所說P溝道MOS場效應晶體管有P型半導體區域;

（b）形成一層用來覆蓋所說那些MOS場效應晶體管的第一絕緣薄膜的工序;

（c）形成在所說第一絕緣薄膜內的一些接觸孔的工序，所說N和P型半導體的各自區域上至少形成有所說的這些接觸孔當中的一個孔;

（d）形成一層用來覆蓋所說的基片的所說主表面之一部分的第二絕緣薄膜的工序，所說的主表面的一部分通過所說那些接觸孔暴露在外面;

（e）通過所說的接觸孔，至少在所說N型半導體區域注入一種N型雜質的離子注入工序，所說的雜質是通過所說第二絕緣薄膜導入所說基片的，其中，注入上述N型雜質而形成的半導體區域比所說的N型半導體區域要深;

（f）除去所說第二絕緣薄膜的步驟;以及

（g）在所說接觸孔中形成導電薄膜的步驟。

2、一種根據權利要求1的方法，其中，所說第二絕緣薄膜是一層氧化硅薄膜，所說氧化硅薄膜是通過暴露在外面的所說基片的主表面進行氧化而形成的。

3、一種根據權利要求1的方法，其中，所說N型雜質通過所說那些接觸孔以離子注入法注入所說N和P型半導體區域。

4、一種根據權利要求1的方法，其中，以離子注入法注入的所說的N型雜質的劑量低于所說P型半導體區域中P型雜質的濃度。

5、一種根據權利要求1的方法，它進一步包括形成所說離子注入用掩模的工序，所說掩模至少覆蓋在所說P型半導體區域上的所說接觸孔。

其中，利用所說的掩模來實施所說的離子注入。

6、一種根據權利要求5的方法，其中，所說第二絕緣薄膜是一層氧化硅薄膜，所說氧化硅薄膜是通過把暴露在外面的所說基片的主表面進行氧化而形成的。

7、一種根據權利要求5的方法，其中，所說掩模是由抗蝕劑薄膜所制成。

8、一種根據權利要求5的方法，其中，所說N型雜質為磷。

9、一種根據權利要求5的方法，它進一步包括在所說半導體基片上形成以多晶硅薄膜制成的導線層。

其中，至少在所說導線層之一上形成有所說接觸孔。

10、一種根據權利要求9的方法，其中，所說掩模覆蓋住除開所說N型半導體區域上所說接觸孔以外的部分。

11、一種根據權利要求1的方法制成的產品。

12、一種根據權利要求5的方法制成的產品。

13、一種根據權利要求9的方法制成的產品。