[其他]高跨導(dǎo)高厄利(Early)電壓模似(MOS)晶體管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101986000000192
• 申請日: 1986-01-12
• 公開（公告）號: CN1005884B
• 公開（公告）日: 1989-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬龍;錢其璈
• 申請（專利權(quán)）人: 南開大學(xué)
• 代理公司: 南開大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 耿錫錕

1、一種由一個MOS晶體管和一個雙極型晶體管（圖1、A）或者由兩個MOS晶體管（圖1、B）構(gòu)成的半導(dǎo)體集成器件，其特征在于增加了一個MOS晶體管或一個雙極型晶體管，一共由三支管子（二只MOS晶體管，一只雙極型晶體管）復(fù)合構(gòu)成甲乙兩類（因為晶體管有兩種類型，一類有兩種等效復(fù)合方式）一共四種復(fù)合方式。

甲類復(fù)合方式：MOS晶體管M₁的源極和三級管Q的基極連接，MOS晶體管M₂的柵極和晶體管Q的發(fā)射極連接，M₁的漏極、Q的集電極和M₂的源極連接，M₁、M₂是NMOS晶體管時，Q是NPN型晶體管，這是一種方式（圖2、A），M₁M₂是PMOS晶體管時，Q是PNP型晶體管，構(gòu)成另一種復(fù)合方式（圖2、B）。

乙類復(fù)合方式：M₁的源極、M₂的柵極和Q的集電極連接，M₁的漏極和Q的基極連接，M₂的源級和Q的發(fā)射極連接，當(dāng)M₁、M₂是NMOS時，Q是PNP管構(gòu)成一種復(fù)合方式（圖3、A），當(dāng)M₁、M₂是PMOS時，Q是NPN管，這是另一種復(fù)合方式（圖3、B）。

2、按照權(quán)利要求1所說的甲類復(fù)合方式，當(dāng)M₁、M₂是NMOS管，Q是NPN管時的版圖的結(jié)構(gòu)特征是在N型襯底上制作P₁阱和P₂阱，在P₁阱內(nèi)作N₁⁺和N₂⁺兩個區(qū)，由N₁⁺區(qū)引出S極，由N₂⁺的一側(cè)到P阱與P₂阱之間的N₂⁺的一側(cè)上面制作G₁，P₁阱和N₂區(qū)在K處短接，作N₃⁺位于P₁阱和P₂阱之間且不留間隙，在P₂阱內(nèi)作N₄⁺區(qū)，在N₄⁺區(qū)與N₈⁺區(qū)之間的P₂阱上作G₂并與S相連結(jié)，P₂阱與N型襯底在F處短接。

3、按照權(quán)利要求1所說的甲類復(fù)合方式，當(dāng)M₁、M₂是PMOS時，Q是PNP管時的版圖結(jié)構(gòu)特征是，在P型襯底上，制作N₁阱和N₂阱，在N₁阱內(nèi)作P₁⁺和P₂⁺兩個區(qū)，由P₁⁺區(qū)引出S極，由P₂⁺的一側(cè)到N₁阱與N₂阱之間的P₃⁺的一側(cè)上面制作G₁，N₁阱和P₂⁺區(qū)在K處短接，作P⁺⁸位于N₁阱和N₂阱之間且不留間隙，在N₂阱內(nèi)作P₄⁺區(qū)，在P₄⁺區(qū)與P₂⁺區(qū)之間的N₂阱上作G₂并與S相連接，N₂阱與P型襯底在F處短接。

4、根據(jù)權(quán)利要求1中的甲類和乙類復(fù)合形式所說，其特征是M₂是耗盡型MOS晶體管。