[其他]浸漬陰極在審
| 申請號： | 101986000001082 | 申請日： | 1986-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN86101082B | 公開（公告）日： | 1988-12-28 |
| 發明（設計）人： | 山本惠彥;田口貞憲;會田敏之;度部勇人;川瀨進 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 徐汝巽;劉夢梅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浸漬 陰極 | ||
【權利要求書】：
1、一種浸漬陰極，它是在難熔多孔質基體內浸漬有電子發射材料而形成的，浸漬陰極表面上涂覆有兩層薄膜，其特征在于下層是高熔點金屬薄膜;上層是含Sc2O3的高熔點金屬薄膜，并復蓋于下層薄膜之上。
2、根據權利要求1所述的浸漬陰極，其特征在于其中所說的高熔點金屬薄膜至少是一種選自一組包括W、Mo、Ta、Re、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt的金屬。
3、根據權利要求1或2所述的浸漬陰極，其特征在于其中所說的下層薄膜的厚度為10nm至1μm，上層薄膜厚度為10nm至1μm。
4、根據權利要求1所述的浸漬陰極，其特征在于其中所說的高熔點金屬是有小孔或裂隙的，而所說的小孔的直徑或裂隙寬度是在10nm至2μm范圍內。
5、具有權利要求1所述浸漬陰極的電子管，其特征是其浸漬陰極圓片是將電子發射材料浸漬難熔多孔質基體而制成，浸漬圖片表面上涂覆有兩層薄膜：下層是高熔點金屬薄膜;上層是含Sc2O3的高熔點金屬薄膜，并復蓋在下層之上。
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