[其他]絕緣子型氣體斷路器在審
| 申請號: | 101986000001866 | 申請日: | 1986-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN86101866B | 公開(公告)日: | 1988-01-13 |
| 發明(設計)人: | 外則近 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 張恒康 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣子 氣體 斷路器 | ||
本發明涉及絕緣子型氣體斷路器。本發明通過把位于絕緣操作桿兩側端的屏蔽設置在至少在兩端有空心部分的絕緣操作桿的空心部內,以確保屏蔽的外徑與支承瓷管之間的絕緣距離,使該部位的電位分布得到改善,達到電位分布平衡,沿瓷管內側面的電場強度也下降,因此,支承瓷管部的耐壓性能能大幅度提高。
本發明涉及絕緣子型氣體斷路器,尤其涉及那種在支承消弧室瓷管的支承瓷管內有絕緣操作桿,在絕緣操作桿的兩端設有屏蔽的絕緣子型氣體斷路器。
以往的絕緣子型氣體斷路器的支承瓷管內的結構如第3圖所示,在圖中,(1)是消弧室瓷管,(2)是支承著消弧室瓷管的支承瓷管,(3)是設置在支承瓷管(2)內部的絕緣操作桿。在該絕緣操作桿(3)的消弧室瓷管側一端,通過銷(7)連接著用來衰減支承瓷管上法蘭盤(2a)及法蘭盤(4)的電場的上屏蔽(5),在絕緣操作桿的另一端,通過銷(7)連接著用來使支承瓷管下法蘭盤(2b)的電場衰減的下屏蔽(6)。在消弧室瓷管及支承瓷管的內部封裝有絕緣介質例如SF氣體(8)。(9)是等電位線。
這樣的絕緣子型氣體斷路器,由于在承受電壓部件上施加了規定的電壓時,內部電極上屏蔽(5)前端的電場強度最強,所以前端的形狀希望盡可能做得平緩。另一方面,為了降低成本,瓷管在趨向縮小,要確保上屏蔽(5)與支承瓷管(2)在氣體中的絕緣距離很不容易。
以往的絕緣子型氣體斷路器因為是上述那樣構成的,所以在承受電壓部件上施加高電壓時存在如下問題:特別在上屏蔽(5)附近的瓷管部,等電位線變密,該部分沿氣體中的瓷管沿面的電場強度非常高,耐壓受到限制,因此必須增大瓷管直徑等。
本發明是為了解決上述問題而作出的,目的是獲得一種不增大瓷管的尺寸就能使電位分布得到改善,同時使沿氣體中的瓷管沿面的電場強度下降,以提高耐壓性能的絕緣子型氣體斷路器。
本發明關系到的絕緣子型氣體斷路器,其位于絕緣操作桿兩側端的各屏蔽是設置在至少在兩端有空心部分的絕緣操作桿空心部內。
在本發明中,因為屏蔽設置在絕緣操作桿的內部,因此能充分確保作為電極的屏蔽的外徑與支承瓷管之間的絕緣距離,該部分的電位分布得到改善,達到分布平衡,同時沿瓷管內側面的電場的強度也下降。
以下就圖示的實施例詳細說明本發明。在圖示本發明一實施例的第1圖中,除絕緣操作桿和上下屏蔽以外,符號(1)、(2)、(2b)、(4)、(7)、(8)表示的構件是與第3圖中所示的以往的絕緣子型氣體斷路器相同的。(10)是空心的絕緣操作桿,在其內部,一端設置著使支承瓷管上法蘭盤(2a)及法蘭盤(4)的電場衰減的上屏蔽(11),另一端設置著使支承瓷管下法蘭盤(2b)的電場衰減的下屏蔽(12),上下屏蔽分別通過銷(7)與絕緣操作桿(10)連接。
這樣構成的絕緣子型氣體斷路器,因為能充分確保設置于空心的絕緣桿(10)內的上、下屏蔽(11)、(12)與瓷管在氣體中的絕緣距離,所以在承受電壓部件上施加規定的電壓時,電位分布就能如虛線所示的等電位線(13)那樣,使以往很密的部分變疏,得到改善,同時也能使沿瓷管內側面的電場強度下降。
接著就圖說明本發明的其他的實施例。第2圖中,在上、下屏蔽(14)、(15)的、從各自的支承瓷管上、下法蘭盤(2a)、(2b)起的內部電場不成為問題的位置上,設置各屏蔽定位用導向凸部(16)、(17),這樣,各屏蔽(14)、(15)與絕緣操作桿(10)間的絕緣距離就能無橫向偏差地得到可靠保持。一般承受電壓時,如果電極與絕緣物間僅有微小的間隙,則由于受絕緣物的影響,該電極表面的電場強度就會比通常情況下即電極與絕緣物間有足夠距離時的電場強度高,高出約為絕緣物的介電常數的一倍。而在本實施例中,由于利用導向凸部保證了內電極與絕緣操作桿間有足夠的距離,而且從圖可知,由于主要影響電場強度的內電極前端的形狀做得比以往的平緩,使電場強度的分布得到改善,所以,內電極與中空的絕緣操作桿間發生放電現象的可能性下降。至于上、下屏蔽(即上、下內電極)之間,雖然上屏蔽(14)前端部分的電場強度比其它部分的內部電場高得多,但因為該部分不會有微小的間隙,所以耐壓可靠性高,同時,由于這上、下屏蔽(14)、(15)的相對的兩個前端部的形狀比以往的平緩,使電場強度分布較均勻,所以,不必擔心上、下兩個電極之間發生放電。
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