[其他]導(dǎo)電率調(diào)制型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的過(guò)電流保護(hù)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101986000003419 | 申請(qǐng)日： | 1986-05-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1004184B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 岡土千尋;山口好広;中川明夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東芝株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 楊國(guó)勝 |
| 地址： | 日本神奈川縣*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電 調(diào)制 mos 場(chǎng)效應(yīng) 電流 保護(hù) 電路 | ||
1、一種過(guò)電流保護(hù)電路，包括具有源極、漏極及與產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的輸出端相連的柵極的BIFET;
探測(cè)上述BIFET的漏極和源極之間的電壓的第一電壓探測(cè)裝置;及
根據(jù)上述電壓探測(cè)裝置的輸出瞬時(shí)地降低上述BIFET的柵極和源極之間的電壓并防止上述BIFET的導(dǎo)通事故及導(dǎo)通延遲的主開(kāi)關(guān)裝置;
其特征在于上述主開(kāi)關(guān)裝置包括：
具有陽(yáng)極、陰極及柵極，且上述陽(yáng)極與上述BIFET的柵極相連的半導(dǎo)體閘流管;
與上述半導(dǎo)體閘流管的柵極相連的第一齊納二極管;
具有與上述半導(dǎo)體閘流管的陰極相連的漏極，與上述BIFET的源極相連的源極，及柵極的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）;
連接在上述第一MOSFET的柵極與上述產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的輸出端之間的第一電阻裝置，上述第一MOSFET具有柵極電容，該電容與第一電阻裝置相結(jié)合導(dǎo)致上述第一MOSFET的導(dǎo)通延遲直到上述產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的上述輸出端加有導(dǎo)通信號(hào)使上述BIFET導(dǎo)通之后為止。
2、據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征還包括：降低上述BIFET的源極和柵極之間的電壓和防止上述BIFET的導(dǎo)通事故或?qū)ㄑ舆t的一個(gè)次開(kāi)關(guān)裝置和為探測(cè)上述BIFET的漏極和源極之間電壓的一個(gè)第二電壓探測(cè)裝置。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征在于所述次開(kāi)關(guān)裝置包括：一個(gè)雙極型晶體管，它的集電極連接到上述BIFET的柵極上;一個(gè)第二齊納二極管連接在上述雙極型晶體管的基極和上述電壓探測(cè)裝置的輸出端之間;一個(gè)第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管，它的漏極連接到上述雙極型晶體管的發(fā)射極上，而它的源極連接到上述BIFET的源極上;和一個(gè)第二電阻裝置，它連接到上述第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極及柵極電容上。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征還包括連接在上述第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極之間、用以防止過(guò)電壓的一個(gè)第三齊納二極管。
5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征在于上述第二電阻裝置包括：連接在產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的輸出端和上述第二MOSFET的柵極之間的一個(gè)第一電阻。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征還包括連接在上述第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極之間為防止過(guò)電壓的一個(gè)第二齊納二極管。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征在于所述的第一電阻裝置包括：連接在產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的輸出端和上述第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極之間的一個(gè)電阻。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征還包括連接在上述BIFET的柵極和上述半導(dǎo)體閘流管的陽(yáng)極之間的光電耦合器。
9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電流保護(hù)電路，其特征在于第一電阻裝置和上述第一MOSFET的柵極電容的時(shí)間常數(shù)選擇得使在導(dǎo)通柵極信號(hào)沒(méi)有施加到上述BIFET的柵極期間和在加上導(dǎo)通柵極信號(hào)之后及上述BIFET的漏極和源極之間電壓與它的柵極上加有導(dǎo)通柵極信號(hào)之前的電壓相比至少降低百分之十之前的初始導(dǎo)通期間，保持上述第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管處在截止?fàn)顟B(tài)。
10、一種過(guò)電流保護(hù)電路，包括具有源極、漏極及與產(chǎn)生柵極信號(hào)電路的輸出端相連的柵極的BIFET;
探測(cè)上述BIFET的漏極和源極之間的電壓的第一電壓探測(cè)裝置;及
根據(jù)上述電壓探測(cè)裝置的輸出瞬時(shí)地降低上述BIFET的柵極和源極之間的電壓并防止上述BIFET的導(dǎo)通事故及導(dǎo)通延遲的主開(kāi)關(guān)裝置;
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