[其他]具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101986000003454
• 申請日: 1986-05-21
• 公開（公告）號: CN1003480B
• 公開（公告）日: 1989-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 波波維克·拉迪沃耶
• 申請（專利權(quán)）人: 蘭迪斯·吉爾楚格股份公司
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 王以平

1、具有一個(gè)可在一個(gè)集成電路中集成的霍爾元件的裝置，該霍爾元件具有兩個(gè)傳感器引線接觸頭和至少兩個(gè)電流引線接觸頭。這些引線接觸頭排列在霍爾元件的表面，其中，至少在霍爾元件〔22〕的有源區(qū)〔7〕和霍爾元件〔22〕的表面之間配置著一個(gè)阻擋層〔11或者12、7〕，該阻擋層從上面覆蓋著霍爾元件〔22〕的有源區(qū)〔7〕，其特征在于：在霍爾元件〔22〕表面上形成一薄層，該薄層是導(dǎo)電類型為P型的材料，它和霍爾元件〔22〕有源區(qū)〔7〕的導(dǎo)電類型正好相反，該薄層具有對環(huán)的連接頭〔R〕的電接觸，而環(huán)連接頭〔R〕形成霍爾元件〔22〕的一個(gè)控制輸入端〔M〕。

2、按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于：阻擋層〔12，7〕是由在霍爾元件〔22〕的有源區(qū)〔7〕與在霍爾元件〔22〕表面上形成的薄層〔12〕之間的交界層形成的，該薄層〔12〕從上面覆蓋著有源區(qū)〔7〕。

3、按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于：霍爾元件〔22〕的輸出端〔S1〕通過一個(gè)調(diào)節(jié)電路〔24、25、26、27〕和霍爾元件〔22〕控制阻擋層〔11或者12、7〕厚度的控制輸入端〔M〕相連接。

4、按照權(quán)利要求3的裝置，其特征在于：調(diào)節(jié)電路〔24、25、26、27〕至少由一個(gè)實(shí)際值整形器〔24〕，一個(gè)額定值發(fā)生器〔25〕和一個(gè)額定值/實(shí)測值一微分器〔26、27〕組成。

5、按照權(quán)利要求4的裝置，其特征在于：實(shí)際值整形器〔24〕是一個(gè)絕對值形成器。

6、按照權(quán)利要求5的裝置，其特征在于：實(shí)際值整形器〔24〕至少由一個(gè)被控制裝置〔28〕控制的轉(zhuǎn)換開關(guān)〔29〕和一個(gè)反相放大器〔30〕組成。

7、按照權(quán)利要求6的裝置，其特征在于：控制裝置〔28〕由一個(gè)比較器組成。

8、按照權(quán)利要求5的裝置，其特征在于：實(shí)際值整形器〔24〕由一個(gè)整流器組成。

9、按照權(quán)利要求4的裝置，其特征在于：額定值發(fā)生器〔25〕是由一個(gè)前置電阻〔R′〕和一個(gè)場效應(yīng)晶體管〔32〕的源-漏區(qū)構(gòu)成的串聯(lián)電路組成。

10、按照權(quán)利要求4的裝置，其特征在于：額定值/實(shí)際值-微分器〔26、27〕至少由一個(gè)差分放大器〔26〕組成。

11、按照權(quán)利要求10的裝置，其特征在于：差分放大器〔26〕具有兩個(gè)實(shí)際值輸入端〔E₁、E₄〕，其中第一個(gè)〔E₁〕與實(shí)際值整形器〔24〕的輸出端相連接，而另一個(gè)〔E₄〕與實(shí)際值整形器〔24〕的輸入端相連接。

12、按照權(quán)利要求11的裝置，其特征在于：差分放大器〔26〕是作為反相放大器而布置的，并且和它串聯(lián)了另一個(gè)反相放大器〔27〕。

13、按照權(quán)利要求1的裝置，其中，阻擋層〔11〕是由一個(gè)耗盡區(qū)形成的，該耗盡區(qū)是借助一個(gè)電壓，通過靜電感應(yīng)產(chǎn)生的，該電壓是通過控制門連接頭〔G〕施加到導(dǎo)電的控制層〔10〕上的，控制層〔10〕通過在霍爾元件〔22〕表面上的一層氧化層〔9〕而被隔離了，這樣，控制層〔10〕以及耗盡層從上面覆蓋著霍爾元件〔22〕的有源區(qū)〔7〕;其特征在于：環(huán)〔8〕由霍爾元件〔22〕表面上的薄層構(gòu)成，它至少在側(cè)面圍繞著霍爾元件〔22〕的有源區(qū)〔7〕，并且具有連接頭〔R〕。