[其他]用于化合物半導體的薄膜層的生長方法在審
| 申請號： | 101986000006177 | 申請日： | 1986-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN1004455B | 公開（公告）日： | 1989-06-07 |
| 發明（設計）人： | 松居祐一 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖**昌;肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 化合物 半導體 薄膜 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種生產化合物半導體的方法，包括一個在化合物半導體的襯底或底層上除去雜質分子的步驟，而在襯底或底層上生長外延層之前，將Ⅲ族分子束或Ⅴ族分子束投射到化合物半導體的襯底或底層上，以及一個在化合物半導體的襯底或底層上生長一層Ⅲ族和Ⅴ族原子的化合物半導體薄膜層的步驟，其特征在于投射到化合物半導體襯底或底層的Ⅲ族Ⅴ族分子束的量較需要形成1個原子層的分子數小。
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