[其他]整個半導(dǎo)體層無電氣缺陷的半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101986000006409
• 申請日: 1986-11-06
• 公開（公告）號: CN1003481B
• 公開（公告）日: 1989-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進(jìn);小柳薰
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京;蕭掬昌

1、一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，該器件包括：

一層半導(dǎo)體層;

一對電極，其間放置所說半導(dǎo)體層;

一種光可固化的樹脂，用以治愈在所說半導(dǎo)體層的制造期間無意在其中產(chǎn)生的縫隙。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于，其中所說光可固化的樹脂是一正性光致蝕劑。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于，其中所說光可固化的樹脂是一負(fù)性光致蝕劑。

4、根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于所說半導(dǎo)體層的層中含有-pin結(jié)的多層結(jié)構(gòu)。

5、根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于，其中所說縫隙是一針孔。

6、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體，其特征在于，其中所說的電極由ITO、In₂O₃、SnO₂或ITN制成。

7、權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的電極敷有一層金屬層。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的金屬層由鋁、鉻或銀制成。

9、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所說的器件是一種光電器件。

10、權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所說的器件是一種光發(fā)射器件。

11、權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所說的器件具有超點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。

12、一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于該方法包括下列工序：備制半導(dǎo)體層;

用一光可固化樹脂涂敷整個半導(dǎo)體層并用以填塞該半導(dǎo)體層的縫隙;

為了使所說縫隙中的所說層部分不溶但其余部分可溶，用一個光輻射所說半導(dǎo)體層;

用一溶劑除去所說半導(dǎo)體層的可溶部分;以及

在所說半導(dǎo)體層上形成另一層。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，其中所說的另一層是準(zhǔn)備做電極的導(dǎo)電層。

14、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，其中所說光可固化樹脂是一種正性光致抗蝕劑。

15、根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，其中所說光是從所說正性光致抗蝕劑一側(cè)照射的紫外光。

16、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，其中所說光可固化樹脂是一種負(fù)性光致抗蝕劑。

17、根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其特征在于，其中所說光是從所說半導(dǎo)體層一側(cè)照射的紫外光。