[其他]應用側壁及去除技術制做亞微米掩模窗口的方法在審
| 申請號： | 101986000007855 | 申請日： | 1986-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN86107855B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發明（設計）人： | 羅伯特·基姆巴爾·庫克;約瑟夫·弗朗希斯·施帕德 | 申請（專利權）人： | 國際商用機器公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 鄧明 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用 側壁 去除 技術 制做 微米 窗口 方法 | ||
【權利要求書】：
1、用選擇性刻蝕在基底中制做窗口的方法，它包括用反應離子刻蝕側壁技術在基底上形成臺面的步驟，其特征在于下列步驟：
將膜層淀積在所述基底的頂部和所述臺面的頂部，而不淀積在所述臺面的側壁上;
用有選擇性腐蝕所述臺面的側壁而不腐蝕所述膜層的方法，將所述臺面及其頂部的所述膜層完全除去，這樣，所述膜層便只保留在除所述臺面之外的位置的基底頂部上;
用膜層作為刻蝕掩模，有選擇地刻蝕所述基底，由此形成所述窗口。
2、權利要求1所述的方法，其中，所述的基底是用各向異性刻蝕工藝有選擇地被刻蝕的。
3、權利要求2所述的方法，其中，所述膜層是RIE掩模材料層，而所述基底是用反應離子刻蝕工藝被有選擇地刻蝕的。
4、權利要求3所述的方法，其中，所述膜層是蒸發上的MgO。
5、權利要求3所述的方法，其中，所述膜層是蒸發上的多晶硅。
6、權利要求1所述的方法，其中，所述臺面的頂部在淀積所述膜層之前從下挖去。
7、權利要求1所述的方法，其中，所述基底的層結構的最下層是，在外延硅材料上形成的摻雜的多晶硅材料。
8、權利要求7所述的方法，其中，所述最下層為P+型摻雜層，而所述的材料是N-型摻雜材料。
9、權利要求1所述的方法，其中，所述膜層是用蒸發方法淀積而成的。
10、權利要求1所述的方法，其中，所述臺面的側壁是用各向同性的腐蝕劑有選擇地被腐蝕的。
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