[其他]線性厚膜負溫度系數熱敏電阻器

在審

• 申請號: 101986000008011
• 申請日: 1986-11-15
• 公開（公告）號: CN86108011B
• 公開（公告）日: 1988-10-26
• 發明（設計）人: 熊世英
• 申請（專利權）人: 國營宏明無線電器材廠
• 代理公司: 成都科奧專利事務所
• 代理人: 袪溶蘭

1、一個負溫度系數厚膜熱敏電阻器，包括一個瓷基片、一個印刷于瓷基片上的熱敏電阻器，一對電極和外部連接引線，其特征在于：

a、在同一塊瓷基片的正面和反面，分別印刷第一個熱敏電阻M₁與第二個熱敏電阻M₂，此兩個熱敏電阻都是負溫度系數熱敏電阻器。將第一個熱敏電阻M₁與第二個熱敏電阻M₂串聯。M₁與M₂串聯時，合成電阻值RM為兩個熱敏電阻電阻值之和。

RM＝RM₁+RM₂

其中RM：合成電阻器的電阻值。

RM₁：第一個熱敏電阻M₁的電阻值。

RM₂：第二個熱敏電阻M₂的電阻值。

b、先在瓷基片上印刷M₁電阻，其阻值比為R₂₅/R₅₀＝1.22±2%，R₂₅＝5000Ω±2%。

R₂₅為溫度為25℃時，M₁的零功率電阻值

R₅₀的溫度為50℃時，M₁的零功率電阻值

c、然后印制M₂電阻，印制M₂電阻的方法為在M₁電阻的線性溫度區域T_p～T_Q內，使RM_2T＜εR_T，并保持在轉折點TQ處的阻值R_M2Q≤0.1%R_TQ，在M₁電阻的低溫段非線性溫度區域T_P～T_Q內，使M₂電阻的阻值R_M2T≈0.1%R_T，調節M₂電阻的阻值，使其在全溫區中的△B值≤±5%。在M₁電阻的高溫段非線性溫度區域T_Q～T_H內，使M₂電阻的阻值R_M2T≤0.1%R_T。

2、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為第一個熱敏電阻M₁的漿料由CoNi_(1-X)Mn_(1+X)O₄基料、RuO₂導電玻璃、Ag粉以及玻璃粘合劑組成，其中X＝0.35～0.55，此漿料中熱敏基料：導電玻璃：粘合劑玻璃（重量比）為

100∶（20～30）∶（30～40）

導電玻璃中RuO₂的含量為15～25%，Ag粉的加入量為RuO₂的10～30%

3、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為第二個熱敏電阻M₂的漿料由MnCu_(1-X)Co_(1+X)O₄基料，（X值取0.5～0.9），以及RuO₂、Ag粉和玻璃粘合劑所組成，其中RuO₂/Ag＝1（重量比），漿料B＝3400°K。

4、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為瓷基片長5mm，寬3mm，厚0.6mm。