[其他]半導(dǎo)體電路不穩(wěn)定性解決效率提高在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101986000008332 | 申請日: | 1986-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN1003755B | 公開(公告)日: | 1989-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汪克明 | 申請(專利權(quán))人: | 汪克明 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 貴州省貴陽市*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 電路 不穩(wěn)定性 解決 效率 提高 | ||
1、在半導(dǎo)體電子技術(shù)中,一種具有特性穩(wěn)定,效率高的半導(dǎo)體電路是:
1.晶體管電路是在晶體管發(fā)射結(jié)加正偏置電壓,偏置電壓電路中串接正向偏置的二極管D1或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻,其特征是:
a、二極管D1或熱敏電阻與晶體管管溫相同。
b、二極管D1或熱敏電阻的電壓降,在晶體管集電極電流流通角大于和等于180°的電路中,近似等于晶體管發(fā)射結(jié)內(nèi)建場電壓;在晶體管集電極電流流通角小于180°的電路中,低于晶體管發(fā)射結(jié)內(nèi)建場電壓。
c、晶體管偏置電壓與晶體管發(fā)射結(jié)內(nèi)建場電壓之差,近似等于與溫度變化無關(guān)的常數(shù)。
d、在晶體管集電極電流流通角等于和小于180°的電路中,輸入信號電壓與偏置電壓成疊加的加到晶體管發(fā)射結(jié)上。
e、在晶體管集電極電流流通角等于和小于180°的電路中,在晶體管的偏置電壓點,加接反向偏置的二極管D2。
f、晶體管發(fā)射極電阻RE的阻值可取任意值,甚至為零。
2.二極管電路,其特征是:
a、在二極管的正極或負(fù)極電路中,串接正溫度系數(shù)的熱敏電阻。
b、熱敏電阻與二極管管溫相同。
c、熱敏電阻的電壓降近似等于二極管內(nèi)建場電壓。
2、根據(jù)權(quán)利要求一的1所述之電路,正向偏置的二極管D1或熱敏電阻固定在晶體管的外殼或散熱片上,或集成在緊靠晶體管的同一基片上,其特征是:使二極管D1或熱敏電阻取得與晶體管相同的管溫。
3、根據(jù)權(quán)利要求一的1所述之電路,其特征是:調(diào)整偏置電壓電路中的電阻值或調(diào)整偏置電流,使正向偏置二極管D1或熱敏電阻上的電壓降,近似等于或小于晶體管發(fā)射結(jié)內(nèi)建場電壓。
4、根據(jù)權(quán)利要求一的2所述之電路,其特征是熱敏電阻固定在二極管的外殼或散熱片上,使熱敏電阻取得與二極管相同的管溫。
5、根據(jù)權(quán)利要求一的2所述之電路,其特征是:調(diào)整熱敏電阻的阻值,使熱敏電阻的電壓降,近似等于二極管內(nèi)建場電壓。
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