[其他]檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶質(zhì)量的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101987000000213 | 申請(qǐng)日: | 1987-01-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1004445B | 公開(kāi)(公告)日: | 1989-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | 分類號(hào): | ||
| 代理公司: | 同濟(jì)大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 譚震威;徐曉群 |
| 地址: | 上海市四平*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢驗(yàn) 鈮酸鋰 鉭酸鋰單晶 質(zhì)量 方法 | ||
一種檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶質(zhì)量的方法,其特征是采用超聲脈沖回波測(cè)試技術(shù),通過(guò)插入損耗檢測(cè)法,聲衰減檢測(cè)法,回波圖形畸變檢測(cè)法這三種方法來(lái)檢驗(yàn)晶錠的任意區(qū)域的質(zhì)量,以及通過(guò)掃描方法檢驗(yàn)晶錠整體質(zhì)量的均勻性。適用于晶體質(zhì)量檢驗(yàn):晶體生長(zhǎng)工藝,晶體極化工藝的研究。
本發(fā)明是一種檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶質(zhì)量的方法。它采用超聲波脈沖回波測(cè)試技術(shù)來(lái)檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶的質(zhì)量。
目前已有多種檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰晶體質(zhì)量的方法:1、X光形貌術(shù);2、腐蝕法;3、光學(xué)方法;4、聲學(xué)方法等,然而,這幾種方法尚有不足,表現(xiàn)為:
X光形貌術(shù),測(cè)試費(fèi)用高,耗時(shí)長(zhǎng),不適合于大規(guī)模生產(chǎn)線檢測(cè)中使用。
腐蝕法,是一種破壞性的檢測(cè)手段,且每次檢測(cè)只能檢測(cè)一個(gè)平面,難以判斷整個(gè)晶錠的質(zhì)量。另外,腐蝕法使用硝酸、氫氟酸等化學(xué)學(xué)試劑,不利于操作人員的健康。
光學(xué)方法在檢測(cè)激光器件的晶體質(zhì)量上,一些對(duì)聲傳播有強(qiáng)烈影響的缺陷(如鐵電反相疇)不易檢測(cè)出來(lái)。此外,和X光形貌術(shù),腐蝕法一樣,許多光學(xué)方法只能探測(cè)一個(gè)平面,或一片薄晶片,這大大增加了檢測(cè)的工作量。
用超聲波衰減的測(cè)量方法,聲表面波濾波器的插入損耗測(cè)量方法來(lái)檢測(cè)晶體的缺陷,所需儀器設(shè)備多,操作復(fù)雜,測(cè)得的結(jié)果誤差較大,不能滿足較高精度檢驗(yàn)晶體質(zhì)量的要求。
用傳輸線技術(shù)檢測(cè)共振頻率的傳統(tǒng)的聲學(xué)方法來(lái)測(cè)定晶體的彈性常數(shù)、壓電常數(shù)、電介常數(shù),對(duì)晶體存在的缺陷不敏感。
日本專利昭和58-172545提供了一種用聲速測(cè)定技術(shù)檢測(cè)聲表面波器件用晶體單疇化程度的檢測(cè)方法。這種方法仍有一些不足:1、聲速對(duì)晶體存在的缺陷不敏感,極化和未極化晶體的聲速差別僅1%數(shù)量級(jí)。2、由于晶體存在的缺陷造成聲速的變化可正可負(fù),其效果有時(shí)會(huì)互相抵消。因此,用聲速來(lái)測(cè)定晶體質(zhì)量不可靠。3、操作方法不簡(jiǎn)便。
本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)試方便,實(shí)用、靈敏度高、準(zhǔn)確又可靠的檢驗(yàn)鈮酸鋰或鉭酸鋰晶體質(zhì)量的方法,用來(lái)檢驗(yàn)晶體中存在的缺陷和晶錠整體的均勻性。
圖1測(cè)試系統(tǒng)框圖。其中,射頻功率脈沖訊號(hào)發(fā)生器1,選用300MHz與700MHz或其它頻率的超聲波,最大脈沖輸出功率為1KW,脈沖延續(xù)時(shí)間一般為1μs,接收放大器2,顯示示波器3,指數(shù)曲線發(fā)生器4,自動(dòng)衰減記錄裝置5,圖像記錄裝置6,試件測(cè)試腔體(聲測(cè)腔)7。
圖2聲測(cè)腔構(gòu)造圖。本發(fā)明中采用聲表面激發(fā)技術(shù),不使用粘接的壓電換能器而用交變電磁場(chǎng)在壓電晶體表面直接激發(fā)和接收脈沖聲波。
圖2-1,圖2-2中提供了二種簡(jiǎn)便的測(cè)試臺(tái)構(gòu)造圖。在圖2-1中,帶彈簧裝置的探極9,50Ω同軸電纜10,BNC插口11。帶中心孔的金屬平板12,探極從中心孔內(nèi)伸出,金屬平板與地電極接通,支架13,聚脂薄膜14。測(cè)試時(shí)只需將試件放在平臺(tái)上,壓在電極上就可進(jìn)行測(cè)試,使用方便。
在圖2-2中,同軸電纜16與探極15連接,探極15固定不動(dòng),試件18安裝在平移臺(tái)17上。平移臺(tái)17由二個(gè)步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),使探極15沿試件18表面作二維掃描。步進(jìn)馬達(dá)的動(dòng)作由一臺(tái)微機(jī)控制,接收的聲訊號(hào)以及探極位置訊號(hào)同步輸入微機(jī),從而可以自動(dòng)描繪晶體聲學(xué)性能的二維圖案。
試樣的制備和聲模式的選擇:
有多種聲學(xué)模式可以選擇作晶體質(zhì)量檢驗(yàn)用。其中沿結(jié)晶學(xué)X軸傳播之FS波(快速表面波)是最適用的模式之一;沿晶錠生長(zhǎng)軸傳播的縱波是另一種常用的模式。
圖3 樣品制備示意圖。垂直于聲波傳播方向的一對(duì)界面19需要進(jìn)行光學(xué)拋光,拋光要求根據(jù)測(cè)試要求決定。精確測(cè)定聲衰減值時(shí),一般要求這一對(duì)平面拋光到平面度優(yōu)于λ/2(λ為綠光波長(zhǎng))、平行度優(yōu)于10孤秒;僅僅測(cè)量插入損耗時(shí),拋光要求可以降低。
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