[其他]濕化學共沉淀氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝

在審

• 申請號: 101987000000243
• 申請日: 1987-03-24
• 公開（公告）號: CN87100243B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發明（設計）人: 溫廷璉;施鑫陶;李曉飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 聶淑儀;潘振蘇

濕化學共沉淀制備的氧化鋯（Ｍｇ－ＰＳＺ）的封接工藝，介紹了一種用固體電觸質陶瓷（Ｍｇ－ＰＳＺ）與玻璃、陶瓷及合金的封接，可分別采用煤氣一氧氣混合焰的普通燈工吹制及過火技術：中溫封接及中、低溫范圍不同降溫速率的封接。本發明工藝簡單，封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求。特別是由于Ｍｇ－ＰＳＺ可與合金進行封接，拓寬了Ｍｇ－ＰＳＺ作為氧敏器件的技術應用范圍。

本發明所涉及的是玻璃與玻璃或其它材料（如陶瓷、合金）的接合。

現有的氧化鋯的封接工藝（Brit.UK.Pat.2021，555）是采用鋁、銻或鋯粉與多種成分的玻璃粉作封接劑，需在1430℃的高溫下，才能完成與ZrO₂固體電解質與玻璃的封接;也無與玻璃直接封接的工藝。不能適用于多種材料。因此其封接工藝適用面窄。

本發明的目的在于提供一種由溫化學共沉淀法獲得的用氧化鎂部分穩定的氧化鋯（Mg-PSZ）固體電解質用于與玻璃、陶瓷及合金的封接的幾種工藝技術。

本發明的要點是：提供了用濕化學共沉淀獲得的Mg-PSZ作為主要封接材料，可用多種方式及對多種材料進行封接。

1.與玻璃管的直接封接，采用煤氣-氧氣混合煙的普通燈工吹制工藝及退火技術。

2.與95氧化鋁陶瓷管的封接，采用兩種工藝條件：

其一是：采用不同降溫速率的中溫封接。即：固定升溫速率（在200～250℃/小時范圍），其降溫速率分別是1030℃～500℃之間，為300℃/小時。

在500℃-室溫之間，為40℃/小時。

其二是：用玻璃封接劑的中溫封接工藝，其條件是：

封接劑是DM-308玻璃;

封接溫度950～1050℃保溫半小時。

3.可與低膨脹系數合金（4J29鐵線鈷合金、4J36合金、可伐合金）進行封接，采用DM-308玻璃作封接劑;先將DM-308玻璃管與合金法蘭封接，再用上述封接方法與Mg-PSZ進行中溫封接。

本發明的優點是：封接工藝簡單;封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求;可使Mg-PSZ與低膨脹系數合金（如4J29鐵線鈷等）封接，拓寬了Mg-PSZ作為氧敏器件的技術應用范圍。（見列表）

已報導的封接工藝與本發明的比較：