[其他]真空閥用接點材料及其制造方法在審
| 申請號: | 101987000000389 | 申請日: | 1987-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN1003330B | 公開(公告)日: | 1989-02-15 |
| 發明(設計)人: | 奧富功;千葉誠司;大川幹夫;關口薰旦;遠藤博;山下務 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 顏承根 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 接點 材料 及其 制造 方法 | ||
1、一種由(1)由Cu或/及Ag組成的導電材料和(2)由Cr、Ti及Zr中的至少一種金屬、或這些金屬和其他金屬的合金組成的耐弧材料所組成的真空閥用接點材料,其特征在于在上述導電材料基體中作為固溶體存在的耐弧材料的量為0.35重量%以下。
2、如權利要求1所述的材料,其特征在于在導電材料基體中作為固溶體存在的耐弧材料的量為0.01~0.35重量%。
3、如權利要求1所述的材料,其特征在于耐弧材料由含有從鐵和鉬中所選出的至少一種50重量%以下、且殘余部分由Cr組成的鉻基合金所組成。
4、如權利要求1所述的材料,其特征在于耐弧材料由含有從鉬MO、鎢W、釩V、鈮Nb和鉭Ta中所選出的至少一種50重量%以下、且殘余部分由鉻Cr組成的鉻基合金所組成。
5、如權利要求3所述的材料,其特征在于原料鉻Cr中鋁Al限制在10ppm以下,硅Si限制在20ppm以下、釩V限制在10ppm以下,鈣Ca限制在10ppm以下。
6、如權利要求4所述的材料,其特征在于原料鉻Cr中鋁Al限制在10ppm以下,硅Si限制在20ppm以下,鈣Ca限制在10ppm以下。
7、一種真空閥用接點材料的制造方法,其特征在于當所得的合金材料為由(a)由銅Cu或/及銀Ag組成的導電材料和(b)由鉻Cr、鈦Ti及鋯Zr中至少一種金屬、或這些金屬和其他金屬的合金所組成的耐弧材料所組成的材料、且在上述導電材料基體中所存在的耐弧材料的量為0.35重量%以下時包含以下的工序(1)~(4),即:
(1)形成耐弧材料粉末的工序、
(2)將所得到成形體進行燒結從而得到耐弧材料的骨架的工序、
(3)在所得到骨架中的空隙中熔浸導電材料的工序,
(4)當對上述熔浸處理的材料進行冷卻時,按下述的(ⅰ)~(ⅲ)中至少一種方法進行該冷卻。
(ⅰ)將冷卻過程的冷卻溫度區間中所定的溫差區間的冷卻速度設定為能使上述真空閥用接點材料的溫度上升現象降低的值,并進行冷卻;
(ⅱ)以上述冷卻溫度區間的所定溫度進行加熱保溫,其所需時間僅為使上述真空閥用接點材料的導電率提高的時間。
(ⅲ)冷卻過程終了后、以上述冷卻溫度區間內的所定再加熱溫度,使上述真空閥用接點材料再加熱。
8、如權利要求7所述的方法,其特征在于在上述工序(4)中冷卻溫度區間800℃到400℃內所定溫差間的100℃以每分鐘0.6℃到6℃的冷卻速度進行冷卻。
9、如權利要求7所述的方法,其特征在于在上述工序(4)中,以冷卻溫度區間800℃到400℃內的任一溫度至少加熱保溫0.25小時。
10、如權利要求7所述的方法,其特征在于在上述工序(4)中。在冷卻溫度區間400℃到800℃內的任一個溫度上至少再加熱0.25小時。
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