[其他]消除半導體層制造缺陷的方法在審
| 申請號： | 101987000002718 | 申請日： | 1987-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN87102718B | 公開（公告）日： | 1988-08-31 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進;小柳薰 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京;蕭掬昌 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 消除 半導體 制造 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種治愈具有一正電極和一負電極的多個半導體元件中的缺陷的方法，其特征在于該方法包括下列步驟：
制備多個串聯連接的穩壓器件，所說半導體元件相應于不同的穩壓器件;
將各半導體元件與相應的穩壓器件并聯;以及
將一小于所說元件的最低擊穿電壓的電壓以所說元件起絕緣元件作用的方向施加在該聯串的所說穩壓器件的兩端，以使電流只流過所說缺陷，產生足夠的熱量以燒去所說缺陷。
2、根據權利要求1的方法，其特征在于其中的所說半導體元件是串聯連接的。
3、根據權利要求1的方法，其特征在于所述的半導體是單向性的。
4、根據權利要求3的方法，其特征在于所施加的電壓是一反向偏置電壓。
5、根據權利要求4的方法，其特征在于所述的多個半導體元件是制作在一個芯片上。
6、根據權利要求4的方法，其特征在于所述的穩壓裝置是一個穩壓二極管。
7、根據權利要求6的方法，其特征在于所述的穩壓二極管是一個齊納二極管。
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