[其他]柵控半導(dǎo)體四極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101987000002851
• 申請(qǐng)日: 1987-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1004670B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王立模
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蕪錫微電子聯(lián)合公司
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1、柵控半導(dǎo)體四極管涉及半導(dǎo)體器件，它包括一個(gè)半導(dǎo)體雙極晶體管，其特征在于還包括一個(gè)置于雙極晶體管基極電流通道上的用于控制其基極注入電流的場(chǎng)效應(yīng)柵電極，這個(gè)柵電極和雙極晶體管的三個(gè)電極均分別獨(dú)立地作為四極管的四個(gè)電極端子引出。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于它的場(chǎng)效應(yīng)控制柵可以是結(jié)型柵，柵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)必須使它能控制整個(gè)基極電流通道，該柵結(jié)可以是PN結(jié)，也可以是金屬-半導(dǎo)體整流結(jié)。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于它的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)控制柵可以是增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，也可以是耗盡型結(jié)構(gòu)，作為耗盡型結(jié)構(gòu)時(shí)，其溝道厚度和雜質(zhì)濃度的選取，必須保證耗盡層夾斷溝道之前柵結(jié)不被擊穿。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于它的場(chǎng)效應(yīng)控制柵可以是絕緣柵。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于它的場(chǎng)效應(yīng)絕緣柵結(jié)構(gòu)可以是增強(qiáng)型的，也可以是耗盡型的，作為耗盡型結(jié)構(gòu)時(shí)，其柵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)必須使它能控制整個(gè)基極電流通道，并且其溝道厚度和雜質(zhì)濃度的選取，必須保證耗盡層夾斷溝道之前柵結(jié)不被擊穿。

6、根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于其絕緣柵結(jié)構(gòu)可以是金屬柵結(jié)構(gòu)或硅柵結(jié)構(gòu)，其絕緣體可以是單層絕緣物質(zhì)，也可以是多層不同絕緣物質(zhì)的迭層，甚至混合絕緣物。

7、根據(jù)權(quán)利要求1，或2，或3，或4，或5所述的柵控半導(dǎo)體四極管，其特征在于它可以是用P溝場(chǎng)效應(yīng)柵控制npn雙極晶體管的基極注入電流的四極管，也可以是用n溝場(chǎng)效應(yīng)柵控制pnp雙極晶體管的基極注入電流的四極管。