[其他]半導體直接鍵合的表面處理方法在審
| 申請號： | 101987000005937 | 申請日： | 1987-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN1003900B | 公開（公告）日： | 1989-04-12 |
| 發明（設計）人： | 呂世驥;阮寶崧;郭躍華;蔡躍明;陸明瑩 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 樓高潮;陸志斌 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 直接 表面 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1、用于半導體片直接鍵合的表面處理方法，其特征在于將清洗好的半導體片置于利用直流、直流弧、交流、高頻或微波方法激發產生的等離子體中進行表面處理，處理溫度為室溫至1300℃，等離子體為O2、H2、N2、HN3、H2O或以10∶1～1∶10的比例混合的氣體，處理時間為5～40分鐘。
2、根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于處理溫度最好控制在500～1000℃。
3、根據權利要求1或2所述的處理方法，其特征在于所處理的半導體片可以是本征型，也可以是摻雜型（N型或P型），還可以是在表面已生長絕緣層的半導體片。
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