[其他]半導體元件

在審

• 申請號: 101987000006746
• 申請日: 1987-10-01
• 公開（公告）號: CN1004735B
• 公開（公告）日: 1989-07-05
• 發明（設計）人: C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚·福博利爾
• 申請（專利權）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌;杜有文

1、一種半導體器件，其特征在于它包括：

第一厚度的一層大面積半導體襯底：

在所說襯底里，有一組不同摻雜的層配置在一陽極和一陰極之間，各層具有一個可由柵極斷開的閘流晶體管的層次排列特性;

在所說陰極的一側，一種階梯形柵-陰結構，因而多個陰極指從一凹槽式柵平面突出并被該凹槽式柵平面分開，從而形成一控制結構;

所說半導體襯底的所說第一厚度被至少一個伸入所說陽極側的所說半導體襯底的深腐蝕井所降低;

所說腐蝕井配置在所說控制結構的對面，并降低包含多個所說陰極指的所說半導體某一區域上的所說厚度;

所說半導體襯底以所說陽極側釬焊到一金屬襯底上;以及

所說腐蝕井要完全被焊料填充。

2、根據權利要求1的一種半導體功率器件，其特征在于：

一p摻雜陽極層和一在其上的弱n摻雜基層被配置在所說陽極側的所說半導體襯底中;以及

所說半導體襯底的所說厚度的降低與所說基層厚度的降低有關。

3、根據權利要求2的一種半導體功率器件，其特征在于其中的一強n摻雜阻擋層設置在所說陽極層和所說基層之間。

4、根據權利要求2的一種半導體功率器件，其特征在于所說基層的所說厚度降低使所說基層的厚度小于200微米。

5、根據權利要求1的一種半導體功率器件，其特征在于：

所說控制結構被細分成多個分離的控制區，從而每一所說控制區包括多個所說陰極，以及

在所說控制區的對面，為每一所說控制區設置一面積大約相等的分離腐蝕井。