[其他]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101987000008326
• 申請(qǐng)日: 1987-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN1004733B
• 公開（公告）日: 1989-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 板鼻博;薄井義典;坪井孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 吳淑芳

1、一種半導(dǎo)體裝置，它包括交替排列的第一和第二半導(dǎo)體元件，和多個(gè)冷卻構(gòu)件，每個(gè)冷卻構(gòu)件設(shè)置在成對(duì)的相鄰的第一和第二半導(dǎo)體元件之間，用于冷卻所述半導(dǎo)體元件及將所述元件在電氣上相連，其特征在于，

一對(duì)第一和第二半導(dǎo)體元件及一個(gè)第一冷卻構(gòu)件構(gòu)成一個(gè)第一疊合部件，構(gòu)成方式為第一半導(dǎo)體元件（31）的陽極和第二半導(dǎo)體元件（22）的陽極側(cè)隔著第一冷卻構(gòu)件（104）彼此相對(duì)，

另一第一和第二半導(dǎo)體元件及一個(gè)第二冷卻構(gòu)件構(gòu)成一第二疊合部件，構(gòu)成方式為該另一第一半導(dǎo)體元件（32）的陰極側(cè)和該另一第二半導(dǎo)體元件（21）的陽極側(cè)隔著第二冷卻構(gòu)件（102）彼此相對(duì)，

所述第一和第二疊合部件及一第三冷卻構(gòu)件構(gòu)成一疊合堆，構(gòu)成方式為所述第一疊合部件的第二半導(dǎo)體元件（22）的陰極側(cè)和所述第二疊合部件的第一半導(dǎo)體元件（32）的陽極側(cè)隔著第三冷卻構(gòu)件（103）彼此相對(duì)，

在所述疊合堆的兩端設(shè)置了導(dǎo)電端子，

設(shè)置了一個(gè)用于電氣連接所述疊合堆的所述第一和第二冷卻構(gòu)件的連接導(dǎo)體（42），和一個(gè)用于電氣連接所述疊合堆的所述導(dǎo)電端子的連接導(dǎo)體（41），藉此構(gòu)成一個(gè)電路，其中，每個(gè)包括一對(duì)第一和第二半導(dǎo)體元件的兩個(gè)反關(guān)聯(lián)連接件串聯(lián)連接。

2、如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一至第三冷卻構(gòu)件中的每一個(gè)在其內(nèi)部包含能被相鄰半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量蒸發(fā)而汽化從而冷卻所述相鄰半導(dǎo)體元件的冷卻媒劑。

3、如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置是一種轉(zhuǎn)換器電路，其中，所述第一和第二半導(dǎo)體元件分別由二極管和控制極關(guān)斷的可控硅構(gòu)成。

4、如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述疊合堆兩端都設(shè)置的所述導(dǎo)電端子中的每一個(gè)都是一個(gè)冷卻構(gòu)件。

5、一種半導(dǎo)體裝置，它包括交替排列的第一和第二半導(dǎo)體元件，和多個(gè)冷卻構(gòu)件，每個(gè)冷卻構(gòu)件設(shè)置在彼此相鄰且成對(duì)的第一和第二半導(dǎo)體元件之間，以冷卻所述半導(dǎo)體元件，并在電氣上將所述元件彼此相連，其特征在于，

一對(duì)第一和第二半導(dǎo)體元件及一個(gè)第一冷卻構(gòu)件構(gòu)成第一疊合部件，構(gòu)成方式為第一半導(dǎo)體元件（31）的陽極側(cè)與第二半導(dǎo)體元件（22）的陽極側(cè)隔著第一冷卻構(gòu)件（104）彼此相對(duì)，另一對(duì)第一和第二半導(dǎo)體元件及一個(gè)第二冷卻構(gòu)件構(gòu)成第二疊合部件，構(gòu)成方式為該另一第一半導(dǎo)體元件（32）的陰極側(cè)與該另一第二半導(dǎo)體元件（21）的陰極側(cè)隔著第二冷卻構(gòu)件（102）彼此相對(duì)，第一和第二疊合部件及一個(gè)第三冷卻構(gòu)件構(gòu)成多個(gè)疊合堆（16，17，18）中的每一個(gè)，構(gòu)成方式為第一疊合部件的一個(gè)第二半導(dǎo)體元件（22）的陰極側(cè)與第二疊合部件的一個(gè)第一半導(dǎo)體元件（32）的陽極側(cè)隔著第三冷卻構(gòu)件（103）彼此相對(duì)，

所述多個(gè)疊合堆（16，17，18）和至少一個(gè)第四冷卻部件構(gòu)成一個(gè)疊合堆單元，構(gòu)成方式為一個(gè)所述疊合堆的所述第一疊合部件中第一半導(dǎo)體元件的陰極側(cè)，通過第四冷卻構(gòu)件（105，109）連到另一所述疊合堆的所述第二疊合部件中所述第二半導(dǎo)體元件的陽極側(cè)，

在所述疊合堆單元的兩端都設(shè)置了導(dǎo)電端子，

連接導(dǎo)體（42，44，46）在電氣上連接每個(gè)所述疊合堆中的第一和第二冷卻構(gòu)件，連接導(dǎo)體（41，43，45）在電氣上將每個(gè)所述第四冷卻構(gòu)件連接到所述導(dǎo)電端子。

6、如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四冷卻構(gòu)件中的每一個(gè)在其內(nèi)部包含了能被相鄰半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量蒸發(fā)而汽化，從而冷卻所述相鄰半導(dǎo)體元件的冷卻媒劑。

7、如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置是一種轉(zhuǎn)換器電路，其中，所述第一和第二半導(dǎo)體元件分別由二極管和控制極關(guān)斷的可控硅構(gòu)成。