[發明專利]一種高硬度自潔釉及制備方法

有效

• 申請號: 201010230337.3
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN101870593A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 王彥慶;宋子春;董志軍;檀瑞超;吉艷光;董子紅;高曉琳;馬艷麗;王春金
• 申請（專利權）人: 唐山惠達陶瓷(集團)股份有限公司
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86
• 代理公司: 石家莊冀科專利商標事務所有限公司 13108
• 代理人: 周曉萍;李桂芳

1.一種高硬度自潔釉，其特征在于，所述自潔釉原料組成包括如下質量份的物質：鉀長石8-16，石英10-18，高嶺土2，三氧化二鋁1-4，方解石1-4，硅酸鋯1-3，熔塊59-69，其中硅酸鋯平均粒徑為1～1.5um，熔塊的熔融溫度為1500～1700℃。

2.根據權利要求1所述的高硬度自潔釉，其特征在于：所述原料加入如下質量份的物質：氧化鋅1-4，滑石1-4。

3.根據權利要求2所述的高硬度自潔釉，其特征在于：所述原料由如下質量份的物質組成：鉀長石12，石英14，高嶺土2，三氧化二鋁3，方解石2，硅酸鋯2，熔塊63，氧化鋅1，滑石1。

4.根據權利要求1或2或3所述的高硬度自潔釉，其特征在于，所述化學成分組成范圍如下：SiO₂?58-65％，Al₂O₃?8-12，CaO?6-10％，K₂O?2-6％，ZnO?5-9％，ZrO₂?0.5-0.8％，MgO?0.2-0.5％，Na₂O?0.5-1.0％，BaO?0.2-0.6％，Fe₂O₃≤0.05％，TiO₂≤0.03％，余量為雜質。

5.一種高硬度自潔釉制備方法，其特征在于：釉漿制備過程的主要工藝參數如下：釉漿粒度≤10um控制在70％～80％，釉漿濃度330-355g/200ml，釉漿流動性50-80V₀(s)，干燥速度5-14min/5ml。