[實(shí)用新型]具有短路保護(hù)功能的供電裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020126485.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201601602U | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉成青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英華達(dá)(南京)科技有限公司;英華達(dá)(西安)通信科技有限公司;英華達(dá)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/155 | 分類號(hào): | H02M3/155;H02H9/02 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 211153 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 短路 保護(hù) 功能 供電 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種供電裝置,特別是涉及一種具有短路保護(hù)功能的供電裝置。
背景技術(shù)
目前,多數(shù)的手持式電子裝置的電源設(shè)計(jì),多采用單一的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為電源的切換開(kāi)關(guān),如圖1所示,圖1是現(xiàn)有習(xí)知技藝的供電裝置的電路示意圖。而所有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的PN接面(PN?Junction)都具有寄生二極管(Parasitic?Diode)。在圖1中,電源可由電池端Vb輸入,并經(jīng)由金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制后,由輸出端Vo輸出,且此金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型晶體管PMOS,此P型晶體管PMOS的漏極D、源極S及柵極G間分別有三個(gè)寄生二極管Dn1、Dn2及Dn3,且電池端Vb及輸出端Vo與P型晶體管PMOS連接點(diǎn)分別設(shè)有第一電容C1及第二電容C2。當(dāng)中央處理單元CPU正常工作時(shí),可由接腳Pin輸出低電壓的信號(hào)至P型晶體管PMOS,以使P型晶體管PMOS導(dǎo)通,此時(shí)電流可直接由漏極D流至源極S。
當(dāng)P型晶體管PMOS為截止?fàn)顟B(tài),且第二電容C2在測(cè)試人員的刻意短路測(cè)試,或在無(wú)意間損毀(Crack)時(shí),第二電容C2兩端的阻抗值可能會(huì)下降至小于10歐姆(Ohm),而流經(jīng)P型晶體管PMOS的電流會(huì)非常大,由于此時(shí)P型晶體管PMOS呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài),因此只有寄生二極管Dn1會(huì)起導(dǎo)通作用,且電壓降約為0.7伏特(Volt),因此流經(jīng)P型晶體管PMOS的功率為電流乘上電壓降,可能會(huì)達(dá)到瓦級(jí),與P型晶體管PMOS能承受的最大功率相差甚遠(yuǎn),且電能在P型晶體管PMOS上是以熱耗散的形式表現(xiàn),而可能產(chǎn)生達(dá)到華氏100度的高溫,造成使用者或測(cè)試人員的安全問(wèn)題。
由此可見(jiàn),上述現(xiàn)有的手持式電子裝置的電源的切換開(kāi)關(guān)在結(jié)構(gòu)與使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道,但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于,克服現(xiàn)有的手持式電子裝置的電源的切換開(kāi)關(guān)存在的缺陷,而提供一種新型結(jié)構(gòu)的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其解決當(dāng)供電裝置里有電子元件短路時(shí),會(huì)產(chǎn)生高溫的安全問(wèn)題,非常適于實(shí)用。
本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其包含一第一電源輸入端、一第二電源輸入端、一第一開(kāi)關(guān)、一第二開(kāi)關(guān)、一處理模塊及一電容。第一電源輸入端可提供一第一電源。第二電源輸入端可提供一第二電源。第一開(kāi)關(guān)連接第一電源輸入端,且第一開(kāi)關(guān)的兩端具有一第一寄生二極管。第二開(kāi)關(guān)連接于第一開(kāi)關(guān)與第二電源輸入端間,且第二開(kāi)關(guān)的兩端具有一第二寄生二極管。處理模塊連接第一電源輸入端、第二電源輸入端、第一開(kāi)關(guān)及第二開(kāi)關(guān),并根據(jù)第一電源的電壓值及第二電源的電壓值輸出一控制信號(hào),使第一開(kāi)關(guān)及第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通或關(guān)閉。電容連接于第二電源輸入端及一接地端間。其中,第一寄生二極管與第二寄生二極管反向串接于第一電源輸入端及第二電源輸入端間,以防止當(dāng)電容短路或微短路且第一開(kāi)關(guān)及第二開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí),電流通過(guò)第一寄生二極管及第二寄生二極管。
本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其中所述的第一開(kāi)關(guān)及該第二開(kāi)關(guān)是分別為一第一P型晶體管及一第二P型晶體管。
前述的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其中所述的處理模塊是以高電位的控制信號(hào)控制該第一P型晶體管及該第二P型晶體管截止,該處理模塊是以低電位的控制信號(hào)控制該第一P型晶體管及該第二P型晶體管導(dǎo)通。
前述的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其中所述的第一P型晶體管的漏極、柵極及源極分別連接該第一電源輸入端、該控制信號(hào)的輸出端及該第二P型晶體管。
前述的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其中所述的第一P型晶體管的柵極及源極間具有一第三寄生二極管及一第四寄生二極管,且該第三寄生二極管與該第四寄生二極管反向串接。
前述的具有短路保護(hù)功能的供電裝置,其中所述的第二P型晶體管的漏極、柵極及源極分別連接該第二電源輸入端、該控制信號(hào)的輸出端及該第一P型晶體管的源極。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒(méi)有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動(dòng)態(tài)變換器組合的;由機(jī)電變換器與另一動(dòng)態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





