[發明專利]雙向放電管芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201610028298.6
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN105609549B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 盛鋒
• 申請（專利權）人: 上海瞬雷電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/78
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，對硅片表面進行清洗；

步驟2，硅片在1100℃～1200℃的氧化爐中雙面生長氧化層掩膜，氧化層掩膜的厚度為1.5微米～2.5微米；

步驟3，通過光刻和顯影在氧化后的硅片的雙面制作出N^-區圖形；

步驟4，采用氟化銨腐蝕液刻蝕出N^-區；

步驟5，在硅片表面生長出犧牲氧化層；

步驟6，在光刻出的N^-區注入磷離子并推進形成深N^-區；

步驟7，用氫氟酸浸泡、去離子水超聲清洗，去除表面氧化層；

步驟8，硅片在1100℃～1200℃的氧化爐中雙面生長氧化層掩膜，氧化層掩膜的厚度為1.2微米～2.0微米；

步驟9，在N^-區的相鄰雙面區域通過光刻和顯影制作出P⁺⁺區；

步驟10，把光刻出P⁺⁺區的硅片放到設有氮化硼片的石英舟上，再進行預沉積；

步驟11，預沉積后的硅片在擴散爐中進行深結推進擴散形成深的P⁺⁺區；

步驟12，用氫氟酸浸泡、去離子水超聲清洗，去除硅片表面的氧化層；

步驟13，把清洗后的硅片放到設有氮化硼片的石英舟上，在擴散爐中進行預沉積；

步驟14，預沉積后的硅片在擴散爐中進行推進擴散形成P⁺區；

步驟15，硅片在1100℃～1200℃的氧化爐中雙面生長氧化層掩膜，氧化層掩膜的厚度為1.5微米～2.5微米；

步驟16，在N^-區域內制作出N⁺區；

步驟17，把光刻出N⁺區的硅片放入擴散爐中并通入三氯氧磷進行預沉積；

步驟18，磷沉積的硅片在擴散爐中進行擴散，形成N⁺區；

步驟19，硅片在1100℃～1200℃的氧化爐中雙面生長氧化層掩膜，氧化層掩膜的厚度為0.7微米～1微米；

步驟20，通過涂膠、曝光、顯影、去氧化層工序，形成臺面溝槽圖形；

步驟21，腐蝕臺面溝槽并用去離子水沖凈；

步驟22，把硅片放在電泳液中進行玻璃電泳；

步驟23，把電泳后的硅片在800℃～820℃燒結爐中進行燒結；

步驟24，把燒結后的硅片進行涂膠、光刻、顯影、去氧化層和玻璃，形成金屬區和劃片道；

步驟25，對硅片進行鍍鎳、鍍金、干燥；

步驟26，用激光切割機把鍍金后的硅片從劃片道處劃成單個芯片。

2.根據權利要求1所述的雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟6中，在光刻出的N^-區通過離子注入方法注入5×10¹⁵kev～8×10¹⁵kev的磷離子，并采用1250℃～1280℃的溫度推進50小時～60小時，形成深N^-區。

3.根據權利要求1所述的雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟10中，把光刻出P⁺⁺區的硅片放到設有氮化硼片的石英舟上，硅片與氮化硼片交叉擺放，在1150℃～1200℃的擴散爐中進行預沉積。

4.根據權利要求1所述的雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟11中，預沉積后的硅片在1250℃～1260℃擴散爐中進行深結推進擴散20小時～30小時，形成深的P⁺⁺區。

5.根據權利要求1所述的雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟13中，把清洗后的硅片放到設有氮化硼片的石英舟上，硅片與氮化硼片交叉擺放，在1150℃～1200℃的擴散爐中進行預沉積。

6.根據權利要求1所述的雙向放電管芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟14中，預沉積后的硅片在1250℃～1260℃擴散爐中進行推進擴散8小時～12小時，形成P⁺區。