[發明專利]一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法

有效

• 申請號: 201610522383.8
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN106048613B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 盧海燕;吳文煜;左防震;高波
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: C23F3/03
• 分類號: C23F3/03;C25D11/08;C25D11/16;C25D11/18;H01Q1/40;H01Q13/22
• 代理公司: 合肥金安專利事務所34114
• 代理人: 金惠貞

1.一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法，其特征在于：

(1)前處理

將待處理鋁合金縫隙波導天線陣面按常規鋁合金浸蝕處理方法處理，得到前處理天線陣面；

(2)化學拋光

將前處理天線陣面放入化學拋光溶液中拋光，拋光溫度120±10℃、時間20～50秒，得到拋光天線陣面；

(3)電化學氧化

將拋光天線陣面按常規鋁合金氧化溶液，在電壓－時間動態參數關系條件下，氧化工藝條件是：硫酸(H₂SO₄)180～200g/L、鋁離子≤15g/L、溫度17±1℃、額定總電流18A、電壓范圍5～8V、時間1300～900s；得到氧化天線陣面；

電壓－時間動態參數關系：

當起始電壓為5.7～6.1V、穩定電壓為6.6～7.0V時，為獲得半球發射率ε_H為0.32±0.02，則氧化時間為1100～1240秒，電壓每增加0.1V，時間參數就相應縮短20～30秒；

(4)封孔

對氧化天線陣面上的縫隙進行常規熱純水封孔處理，水的pH值為5.5～7、溫度95～100℃、時間5分鐘；得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的鋁合金縫隙波導天線陣面；

(5)熱輻射性能指標測試

對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的鋁合金縫隙波導天線陣面按常規熱輻射性能指標測試方法進行測試；測試結果是低發射率及低吸收比熱控涂層的熱輻射性能指標半球發射率ε_H為0.32±0.02，太陽吸收比α_s為0.18±0.02。

2.根據權利要求1所述的一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法，其特征在于：步驟(2)中的化學拋光溶液配方為按體積比磷酸(H₃PO₄)90％、硫酸(H₂SO₄)3％、硝酸(HNO₃)7％。