[發明專利]存儲裝置有效
| 申請號： | 201710080698.6 | 申請日： | 2017-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN107808681B | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 岸達也;稻場恒夫;渡邊大輔;中山昌彥;尾形誠之;都甲大;相川尚德;小瀨木淳一;永瀨俊彥;李永民;澤田和也 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉靜;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 裝置 | ||
1.一種存儲裝置，具備：
磁阻元件，其包括第1磁性層、第2磁性層以及設置在所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層；和
寫入電路，其控制第1寫入和第2寫入，使電流脈沖在所述磁阻元件中流動，所述第1寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為平行狀態，所述第2寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為反平行狀態，
所述第1寫入所使用的第1脈沖模式與所述第2寫入所使用的第2脈沖模式不同，
所述第1脈沖模式包括n個脈沖，所述n為2以上的整數，
所述第1脈沖模式在所述n個脈沖之間具有多個間隔。
2.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述第2脈沖模式包括單個脈沖。
3.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述第2脈沖模式整體的寬度與所述第1脈沖模式整體的寬度大致相同。
4.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述n個脈沖中的2個脈沖彼此的電流電平不同。
5.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述多個間隔中的2個間隔彼此的電流電平不同。
6.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述n個脈沖中的2個脈沖彼此的寬度不同。
7.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述多個間隔中的2個間隔彼此的長度不同。
8.根據權利要求1所述的存儲裝置，
所述第1脈沖模式具有第1電流電平和與所述第1電流電平不同的第2電流電平。
9.根據權利要求1所述的存儲裝置，還具備：
與所述磁阻元件的第1端子電連接的第1布線；和
與所述磁阻元件的第2端子電連接的第2布線，
所述寫入電路使所述電流脈沖在所述第1布線與所述第2布線之間流動。
10.一種存儲裝置，具備：
磁阻元件，其包括第1磁性層、第2磁性層以及設置在所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層；和
寫入電路，其控制第1寫入和第2寫入，使寫入電流在所述磁阻元件中流動，所述第1寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為平行狀態，所述第2寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為反平行狀態，
所述第1寫入中的第1寫入電流具有第1脈沖和附加于所述第1脈沖的第2脈沖，
所述第2脈沖的寬度比所述第1脈沖的寬度短，
所述第2脈沖的電流電平與所述第1脈沖的電流電平不同，
在所述第2寫入中使用單個寫入脈沖。
11.根據權利要求10所述的存儲裝置，
所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平高。
12.根據權利要求10所述的存儲裝置，
所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平低。
13.根據權利要求10所述的存儲裝置，
所述寫入電流還具有附加于所述第1脈沖的第3脈沖，所述第3脈沖為輔助脈沖，
所述第3脈沖的寬度比所述第1脈沖的寬度短，
所述第3脈沖的電流電平與所述第1脈沖的電流電平不同。
14.根據權利要求13所述的存儲裝置，
所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平高，
所述第3脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平低。
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